Ziel
For the continuous miniaturization of silicon devices, various alternatives are tested during front-end process development. Because of the enormous costs of experimental validation, and to save time, technology-computer-aided design (TCAD) is used extensively in the industry. But the success of TCAD is limited when device simulation is based on incorrect doping distributions. However, the rapid technological progress requires models for processes outside the limits of experimental knowledge. Such models often do not exist or are not accurate enough. Based on suggestions and by a direct initiative of the leading European semiconductor manufacturers, the program FRENDTECH aims at providing missing top priority models in the area of ion implantation, diffusion, and oxidation.
Objectives:
Simulation of the fabrication of semiconductor devices has generally been accepted by industry to be very important for optimisation and development of new devices. However, the technological progress in the semiconductor industry is very rapid and predictive models needed for simulating advanced devices are required now in areas where they do not exist or where models are not sufficiently accurate to be used in industrial applications. A list of top priorities for such models has been specified by the leading European semiconductor manufacturers organized in the ESPRIT User Group "UPPER". The overall objective of FRENDTECH is to provide the European semiconductor industry with these missing top priority simulation models for front-end semiconductor processing. Driven by the demands of UPPER, models will be developed for ion implantation, diffusion, and oxidation.
Work description:
FRENDTECH aims at providing missing models requested by industry for front-end simulation of silicon and silicon-germanium devices. The areas covered by the proposal are ion implantation, diffusion, and oxidation. Within ion implantation, parameters for one- and two-dimensional impurity profiles will be determined. In addition, defect profiles will be characterised and parameterised for high-dose, low-energy implants. An important part of the work on diffusion concerns extended defects (from small interstitial clusters via {113} defects to end-of-range disorder), which are known to be responsible for transient effects in diffusion and activation of dopants. Here, the details of their energetics and kinetics will be established both on the basis of theoretical investigations and experimental work. Work on impurity diffusion will lead to models for nitrogen and indium diffusion. In addition, the influence of nitrogen on oxidation-enhanced diffusion will be studied and modelled. Two-dimensional measurements of boron and other advanced techniques will result in a unified model for the transient diffusion and activation of boron. Work on oxidation will lead to a calibrated model able to predict the kinetics of oxidation down to extremely thin oxides, including the influence of dopants and nitrogen. Investigations of silicon-germanium materials will allow to model dopant diffusion and activation in such materials. Stress effects on diffusion and activation of dopants will be addressed also. The work proposed requires the unique combination of facilities for structure fabrication, processing, and characterization of the proposers, together with their expertise in process modelling and simulation. The models developed and parameters extracted will be implemented in a commercial software tool to be of immediate use for the European semiconductor industry.
Milestones:
The result of FRENDTECH will be models describing physical effects relevant for front-end processing of silicon devices. An intermediate milestone will be the optimisation of analytical tools, absolutely needed for the production of the physical models. These, both in the form of parameters for immediate use in advanced process simulation programs, and in the form of commercial software tools, will be available as key milestone at the end of the project.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Informatik und Informationswissenschaften Software
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften Elektrochemie Elektrolyse
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Nachübergangsmetalle
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Metalloide
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Schlüsselbegriffe
Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).
Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).
Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Koordinator
80686 MUENCHEN
Deutschland
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.