Objectif
The current trend in microelectronics is the high end silicon devices and circuits will be processed on wafers with a very thin silicon-on-insulator (SOI) layer. In this project the feasibility to realise a novel, extremely fast silicon transistor based on carrier velocity modulation will be investigated. These SOI velocity modulation transistor (VMT) may have intrinsic and extrinsic operation speed of several hundreds of GHz. The SOI VMT can replace high speed 3-5- transistors, e.g. in telecommunication and automotive radar applications.
OBJECTIVES
The objectives in this work are to:
1) Realise a dual gate velocity modulation transistor on ultra-thin SOI substrate;
2) Experimentally and theoretically define the optimum operation point for velocity modulation switching;
3) Perform Monte Carlo simulations on transport and switching properties of a velocity modulation transistor realised on substrates with ultra-thin SOI films.
DESCRIPTION OF WORK
The work includes the following tasks:
- Device fabrication: The test structures and devices will be fabricated on thin SOI wafers. The process includes fabrication of thin SOI wafers with highly doped handle wafers for back gating and device processing on the wafers. For structural characterisation ultra-thin SOI films can be realised by thermal oxidation and stripping the sacrificial oxide;
- Structural characterisation: The devices structures will be characterised using XDR, AFM, HRSEM and TEM;
- Transport measurements: The electrical characteristics of the VMT structures will be studied using field effect mobility measurements and low temperature Hall measurements. For AC measurements, a set-up up to 110 GHz is available;
- Modelling and theoretical aspects: The VMT devices will be simulated using one particle and ensemble Monte Carlo schemes. The scattering mechanisms include contributions of phonons scattering, interface roughness scattering and Coulomb scattering. The phonons are confined in the thin SOI films and this affects the phonon scattering. The transient response of the SOI VMTs can be deduced by ensemble Monte Carlo.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences chimiques électrochimie électrolyse
- sciences naturelles sciences physiques physique atomique
- ingénierie et technologie génie électrique, génie électronique, génie de l’information ingénierie de l’information télécommunication technologie radio radar
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique microélectronique
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
02044 ESPOO
Finlande
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.