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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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Contenuto archiviato il 2024-05-27

Extremely fast silicon transistor based on carrier velocity modulation

Obiettivo

The current trend in microelectronics is the high end silicon devices and circuits will be processed on wafers with a very thin silicon-on-insulator (SOI) layer. In this project the feasibility to realise a novel, extremely fast silicon transistor based on carrier velocity modulation will be investigated. These SOI velocity modulation transistor (VMT) may have intrinsic and extrinsic operation speed of several hundreds of GHz. The SOI VMT can replace high speed 3-5- transistors, e.g. in telecommunication and automotive radar applications.

OBJECTIVES
The objectives in this work are to:
1) Realise a dual gate velocity modulation transistor on ultra-thin SOI substrate;
2) Experimentally and theoretically define the optimum operation point for velocity modulation switching;
3) Perform Monte Carlo simulations on transport and switching properties of a velocity modulation transistor realised on substrates with ultra-thin SOI films.

DESCRIPTION OF WORK
The work includes the following tasks:
- Device fabrication: The test structures and devices will be fabricated on thin SOI wafers. The process includes fabrication of thin SOI wafers with highly doped handle wafers for back gating and device processing on the wafers. For structural characterisation ultra-thin SOI films can be realised by thermal oxidation and stripping the sacrificial oxide;
- Structural characterisation: The devices structures will be characterised using XDR, AFM, HRSEM and TEM;
- Transport measurements: The electrical characteristics of the VMT structures will be studied using field effect mobility measurements and low temperature Hall measurements. For AC measurements, a set-up up to 110 GHz is available;
- Modelling and theoretical aspects: The VMT devices will be simulated using one particle and ensemble Monte Carlo schemes. The scattering mechanisms include contributions of phonons scattering, interface roughness scattering and Coulomb scattering. The phonons are confined in the thin SOI films and this affects the phonon scattering. The transient response of the SOI VMTs can be deduced by ensemble Monte Carlo.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

Dati non disponibili

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

ACM - Preparatory, accompanying and support measures

Coordinatore

VALTION TEKNILLINEN TUTKIMUSKESKUS (VTT)
Contributo UE
Nessun dato
Indirizzo
VUORIMIEHENTIE 5
02044 ESPOO
Finlandia

Mostra sulla mappa

Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (2)

Il mio fascicolo 0 0