Objetivo
The aim of this project is t o overcome all the disadvantages of the present CVD and PVD techniques. To achieve this result combinations of Physical Vapour Deposition (PVD) or Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition (PACVD) enhanced by high energy ion beam bombardment will be studied. These studies will also of course, be combined with the necessary robotics to allow the treatment of complex geometrical shapes and to solve real industrial applications by producing new materials with high degree of reproducibility through total automation. In order to achieve thicker modified layers and higher implanted concentrations new processes involving both film deposition and ion implantation will be developed. The ion beam will play an important role in increasing the adhesion and uniformity of hte deposited film, and eventually in converting it into a chemically different material, e.g. a carbide or a nitride.
The aim of this project is to overcome all the disadvantages of the present chemical vapour deposition (CVD) and physical vapour deposition (PVD) techniques. To achieve this combinations of PVD or plasma assisted chemical vapour deposition (PACVD) enhanced by high energy ion beam bombardment are studied.
The results of this research are shown:
Titanium nitride can be synthesised by numerous methods including CVD, PVD, PACVD, and ion beam assisted deposition (IBAD). The aim of this phase was to demonstrate the utility of ion assistance in low temperature deposition process for increasing the film quality and performance.
By comparison of different properties, mainly morphology, chemical composition, mechanical properties and chemical resistance, it has been shown that it is possible to obtain titanium nitrate (TiN) at low temperature (250 C) with an acceptable growth rate; the stoichiometry can be adjusted in a large range of composition; the coatings are crystalline to X-ray diffraction (XRD) with a preferential orientation linked to the incident ion energy.
High energy bombardment leads to columnar structure:
Ion beam assisted deposition leads to film densification. The mechanism of the densification may be the related atomic displacement in the collision cascades, enhanced surface and bulk diffusion, recoil implantation and ion mixing mechanisms. One consequence of IBAD is void elimination.
Because of the line of sight nature of conventional IBAD a manipulator stage is required to rotate and translate the target in the beam to bombard all sides of the target.
To avoid this manipulator a new process is developed. In PSIAD (plasma source ion assisted deposition) the target is placed directly in the plasma source and is pulse biased to negative potential relative to the chamber wall. Ions are accelerated towards the target surface, across the plasma sheath, eliminating the line of sight problems of conventional IBAD and thus all the exposed areas are bom barded simultaneously. The elimination of target manipulation is a particular advantage of PSIAD, especially for heavy and large targets.
The next stage will be the design and construction of a prototype machine.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica compuestos inorgánicos
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de transición
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de postransición
- ingeniería y tecnología ingeniería de materiales recubrimiento y películas
- ingeniería y tecnología ingeniería eléctrica, ingeniería electrónica, ingeniería de la información ingeniería electrónica robótica
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
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Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Datos no disponibles
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Datos no disponibles
Coordinador
42000 Saint-Étienne
Francia
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.