Cel
The aim of this project is t o overcome all the disadvantages of the present CVD and PVD techniques. To achieve this result combinations of Physical Vapour Deposition (PVD) or Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition (PACVD) enhanced by high energy ion beam bombardment will be studied. These studies will also of course, be combined with the necessary robotics to allow the treatment of complex geometrical shapes and to solve real industrial applications by producing new materials with high degree of reproducibility through total automation. In order to achieve thicker modified layers and higher implanted concentrations new processes involving both film deposition and ion implantation will be developed. The ion beam will play an important role in increasing the adhesion and uniformity of hte deposited film, and eventually in converting it into a chemically different material, e.g. a carbide or a nitride.
The aim of this project is to overcome all the disadvantages of the present chemical vapour deposition (CVD) and physical vapour deposition (PVD) techniques. To achieve this combinations of PVD or plasma assisted chemical vapour deposition (PACVD) enhanced by high energy ion beam bombardment are studied.
The results of this research are shown:
Titanium nitride can be synthesised by numerous methods including CVD, PVD, PACVD, and ion beam assisted deposition (IBAD). The aim of this phase was to demonstrate the utility of ion assistance in low temperature deposition process for increasing the film quality and performance.
By comparison of different properties, mainly morphology, chemical composition, mechanical properties and chemical resistance, it has been shown that it is possible to obtain titanium nitrate (TiN) at low temperature (250 C) with an acceptable growth rate; the stoichiometry can be adjusted in a large range of composition; the coatings are crystalline to X-ray diffraction (XRD) with a preferential orientation linked to the incident ion energy.
High energy bombardment leads to columnar structure:
Ion beam assisted deposition leads to film densification. The mechanism of the densification may be the related atomic displacement in the collision cascades, enhanced surface and bulk diffusion, recoil implantation and ion mixing mechanisms. One consequence of IBAD is void elimination.
Because of the line of sight nature of conventional IBAD a manipulator stage is required to rotate and translate the target in the beam to bombard all sides of the target.
To avoid this manipulator a new process is developed. In PSIAD (plasma source ion assisted deposition) the target is placed directly in the plasma source and is pulse biased to negative potential relative to the chamber wall. Ions are accelerated towards the target surface, across the plasma sheath, eliminating the line of sight problems of conventional IBAD and thus all the exposed areas are bom barded simultaneously. The elimination of target manipulation is a particular advantage of PSIAD, especially for heavy and large targets.
The next stage will be the design and construction of a prototype machine.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna związki nieorganiczne
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metale przejściowe
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metale nieszlachetne
- inżynieria i technologia inżynieria materiałowa powłoki
- inżynieria i technologia inżynieria elektryczna, inżynieria elektroniczna, inżynieria informatyczna inżynieria elektroniczna robotyka
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Brak dostępnych danych
Koordynator
42000 Saint-Étienne
Francja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.