Accensione dei transistor
La perdita di potenza è una questione chiave, quando dispositivi e i circuiti a semiconduttori si avvicinano ai limiti di scala. Sono necessari design alternativi per transistor e memoria per migliorare la velocità e il consumo energetico. Si fa strada una crescente necessità di diminuire il consumo di energia dei dispositivi logici, i chip che forniscono una sorta di capacità di elaborazione. Il progetto TETTRA (“Towards enhanced III-V tunnel transistors”), finanziato dall’UE, ha esaminato se i transistor tunnel con effetto di campo (FET) sono in grado di funzionare con meno energia, offrendo d’altro canto una maggiore velocità di funzionamento. I FET tunnel rappresentano una delle due principali categorie di transistor che utilizzano un campo elettrico per controllare la forma e quindi la conduttività di un canale di un tipo di portatore di carica in un materiale semiconduttore. La scelta dei materiali è la chiave per consentire una riduzione della tensione di alimentazione e un percorso verso una quantità inferiore di alimentazione per il sistema. Gli scienziati hanno analizzato l’uso di nanofili e di alcuni tipi di materiali semiconduttori per migliorare le prestazioni dei FET tunnel. I membri del progetto hanno esaminato il tunneling da banda a banda, che offre tensioni minori e una riduzione dell’energia. Le proprietà superficiali dei FET tunnel sono considerate importanti per le prestazioni. Pertanto, i partner hanno valutato le proprietà superficiali dei nanofili e dei materiali semiconduttori. Infine, gli scienziati hanno progettato e convalidato una tecnica innovativa per l’analisi della produzione di energia elettrica dei nanofili. Il lavoro su TETTRA ha indicato che è possibile ottenere notevoli risparmi energetici utilizzando FET tunnel a bassa tensione. La prospettiva di ridurre i requisiti energetici dei transistor di nuova generazione è molto tangibile.
Parole chiave
Transistor, consumo di energia, transistor tunnel, transistor con effetto di campo, tensione
