Approbation de la subvention allemande à un projet Eureka
La Commission européenne a décidé de ne pas s'opposer à l'octroi d'une subvention de 60 millions d'euros qui a pour objet d'encourager la participation de l'Allemagne à un projet Eureka conjoint visant à développer les technologies de la lithographie extrême ultraviolet (EUV). Les résultats du projet devraient renforcer la position des fournisseurs européens sur le marché des semi-conducteurs en leur permettant d'acquérir un savoir-faire et des droits de propriété intellectuelle. La lithographie constitue l'une des étapes les plus importantes de la fabrication des circuits intégrés. Un flash lumineux à haute fréquence est utilisé pour imprimer sur des tranches de silicium l'image multipliée et réduite des modèles de circuit intégré conçus par les ingénieurs. La résolution des circuits ainsi imprimés dépend de la longueur d'onde de la lumière utilisée pour l'impression. La génération actuelle de procédés lithographiques utilise la lumière ultraviolette, dont la longueur d'onde est de quelques centaines de nanomètres. Étant donné que la taille des semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à 11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des rayons X mous. Comme l'interaction entre la lumière et la matière commence à se modifier radicalement à ces fréquences, la plupart des techniques à la base de la lithographie classique doivent être totalement revues. Par exemple, la collimation de l'EUV ne peut s'effectuer au moyen de lentilles. Il est donc nécessaire de concevoir toute une série d'instruments d'optique entièrement nouveaux, dotés d'un miroir et non de lentilles, pour le diriger.