Approvato un sussidio tedesco a favore di un progetto Eureka
La Commissione europea ha deciso di non opporsi ad una sovvenzione di 60 milioni di euro per promuovere la partecipazione della Germania ad un progetto congiunto Eureka, mirato allo sviluppo di tecnologie EUV (extreme ultraviolet lithography). Si auspica che i risultati del progetto contribuiranno a rafforzare la posizione dei produttori europei nel settore dei semiconduttori, grazie all'elaborazione di nuove conoscenze e di proprietà intellettuale. La litografia è una delle fasi più importanti nella produzione dei circuiti integrati. Tale procedimento si avvale di un fascio di luce ad alta frequenza per stampare su wafer di silicio un'immagine moltiplicata e ridotta dei modelli di circuito integrato progettati dagli ingegneri. La risoluzione dei circuiti così stampati dipende dalla lunghezza d'onda della luce usata per il processo di stampa. La litografia della generazione attuale utilizza la luce ultravioletta, la cui lunghezza d'onda misura poche centinaia di nanometri. Con la riduzione costante delle dimensioni strutturali dei semiconduttori, è convinzione diffusa che, tra 10 o 11 anni, per il procedimento litografico sarà necessaria una lunghezza d'onda della luce che andrà ben oltre lo spettro degli ultravioletti, fino ad arrivare all'estremo ultravioletto (EUV) o zona dei raggi X molli. Dato che, a queste frequenze, l'interazione tra la luce e la materia comincia a cambiare radicalmente, la maggior parte delle tecniche alla base della litografia convenzionale devono subire modifiche sostanziali. Ad esempio, l'EUV non può essere collimato con l'uso di lenti. Di conseguenza, per dirigerlo, è necessario progettare strumenti ottici completamente nuovi, che adoperino specchi invece di lenti.