Beihilfe für Deutschland zur Beteiligung an Eureka-Projekt genehmigt
Die Europäische Kommission hat beschlossen, gegen eine Beihilfe von 60 Millionen Euro zur Förderung der deutschen Beteiligung an einem Eureka-Verbundprojekt zur Entwicklung von EUV-Lithografieverfahren (EUV - Extreme Ultraviolettlithografie) keine Einwände zu erheben. Man erwartet, dass die Ergebnisse des Projekts zur Stärkung der Position der europäischen Zulieferer der Halbleiterindustrie beitragen, und zwar über die Erarbeitung von Knowhow und geistigem Eigentum. Lithografie ist einer der wichtigsten Schritte bei der Herstellung integrierter Schaltungen. Dabei werden hochfrequente Lichtstärken verwendet, um ein vervielfachtes und verkleinertes Bild von Modellen integrierter Schaltungsstrukturen, die von Ingenieuren entworfen wurden, auf Siliziumwafer zu übertragen. Bestimmend für die Auflösung der so übertragenen Schaltungen ist die beim Druckverfahren verwendete Wellenlänge der Strahlquelle. Bei der heutigen Generation von Lithografieverfahren wird ultraviolettes Licht mit einer Wellenlänge von einigen hundert Nanometern verwendet. Man geht davon aus, dass angesichts der stetigen Verkleinerung der Strukturen in der Halbleiterfertigung die Wellenlänge der für das Lithografieverfahren erforderlichen Strahlung spätestens in zehn bis elf Jahren über das ultraviolette Spektrum hinausgehen wird. Dann werden EUVL oder weiche Röntgenstrahlung zum Einsatz kommen. Da sich bei diesen Frequenzen die Interaktion zwischen Licht und Materie radikal verändert, müssen die meisten Verfahren der konventionellen Lithografie grundlegend modifiziert werden. Beispielsweise lässt sich EUV nicht mehr mit Linsen kollimatieren, sodass völlig neue optische Tools entwickelt werden müssen, bei denen Spiegel anstelle von Linsen eingesetzt werden.