Optoelectrónica de alto rendimiento
Las excepcionales propiedades optoelectrónicas y de microondas de los materiales III-V junto con la tecnología económica y altamente compacta del silicio pueden ser una combinación muy potente para lograr avances en la electrónica. Sin embargo, la integración de estos materiales en el silicio ha demostrado ser una difícil tarea en cuanto a mejorar el rendimiento y la eficacia de las aplicaciones industriales. El uso de técnicas altamente especializadas de crecimiento epitaxial de aleaciones en chips, desarrolladas recientemente, ha resultado fundamental para conseguir integraciones efectivas. Este proyecto ha estudiado el desarrollo de nuevos sistemas precursores optimizados para epitaxia de crecimiento conforme y superficial selectivo. Empleando técnicas especializadas, el proyecto estudió ampliamente la disponibilidad y caracterización de fuentes potenciales en cuanto a pureza y compatibilidad química. De esta forma, los socios del proyecto fueron capaces de desarrollar precursores óptimos con capacidades únicas de combinación y crecimiento. Así, los nuevos precursores permiten la deposición y dopado de GaAs/AlGaAs y de aleaciones semiconductoras afines. Estos precursores pueden ser producidos comercialmente, con lo que se favorece el desarrollo de soluciones innovadoras de alta tecnología. Se espera que, de esta forma, hagan posible la producción de gran variedad de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos novedosos. Los nuevos dispositivos ofrecen funcionalidades y rendimientos avanzados, especialmente en el campo de las comunicaciones ópticas y de las aplicaciones electrónicas. Por otro lado, se espera que la experiencia adquirida con el trabajo realizado en el proyecto también beneficie a la investigación posterior en este campo.
