Sur la voie d'une optoélectronique de pointe
Combiner les propriétés micro-onde et optoélectroniques remarquables des matériaux du groupe III-V à la technologie économique et compacte du silicium pourrait produire un système électronique performant et révolutionnaire. Néanmoins, il s'est avéré extrêmement difficile d'obtenir un accroissement des performances et de l'efficacité des applications industrielles par intégration de ces matériaux sur le silicium. L'utilisation de techniques récentes très spécialisées de croissance épitaxiale d'alliages sur puces s'est avérée essentielle pour réussir de telles intégrations. Les responsables de ce projet ont étudié le développement de nouveaux systèmes précurseurs optimisés de croissance sélective et conforme. A l'aide de techniques spécialisées, les responsables du projet ont exploré de façon approfondie la disponibilité et la caractérisation des sources potentielles en termes de pureté et de compatibilité chimique. De cette façon, ils ont pu développer des systèmes précurseurs optimaux, dotés de capacités uniques de croissance et de combinaison. Ces nouveaux systèmes peuvent permettre le dépôt et le dopage des GaAs/AlGaAs et des alliages pour semi-conducteurs correspondants. Ils peuvent être produits à des fins commerciales, permettant ainsi le développement de solutions innovantes, technologiquement avancées qui devraient rendre possible la fabrication d'une large palette de nouveaux dispositifs électroniques et optoélectroniques. Ces nouveaux dispositifs peuvent présenter des fonctionnalités et des performances avancées en particulier dans le domaine des communications optiques et des applications électriques. De plus, l'expérience acquise durant le projet devrait favoriser d'autres activités de recherche entreprises dans ce domaine.
