Applicazioni optoelettroniche ad elevate prestazioni
L'abbinamento delle straordinarie proprietà offerte dai materiali III-V in termini di optoelettronica e microonde, con la compatta ed economica tecnologia al silicio potrebbe costituire un sistema efficace per la realizzazione di rivoluzionarie innovazioni elettroniche. Tuttavia, l'integrazione di questi materiali sui chip di silicio si è rivelata un'impresa difficile in termini di prestazioni elevate e di efficienza nell'ambito delle applicazioni industriali. L'impiego di nuove tecniche altamente specializzate nella crescita epitassiale di leghe su microchip si è rivelato essenziale per realizzare in maniera efficace tale integrazione. Nell'ambito del presente progetto è stato studiato lo sviluppo di innovativi sistemi precursori ottimizzati per una crescita epitassiale conforme in un'area specifica. Con l'ausilio di tecniche specializzate, è stata ampiamente esaminata la disponibilità, nonché la caratterizzazione di potenziali sorgenti, secondo i criteri della purezza e della compatibilità chimica. In questo modo, i partecipanti al progetto sono stati in grado di sviluppare precursori ottimali, dotati di esclusive capacità di crescita e combinazione, grazie alle quali tali sistemi potrebbero consentire la deposizione e la drogatura delle leghe GaAs/AlGaAs e dei relativi semiconduttori. Tali precursori, inoltre, possono essere prodotti su vasta scala, consentendo così lo sviluppo di innovative soluzioni di alta tecnologia. Pertanto, si ritiene che essi possano rendere possibile la realizzazione di un'ampia gamma di nuovi dispositivi elettronici e optoelettronici, i quali potrebbero offrire prestazioni e funzionalità avanzate soprattutto nel campo della comunicazione ottica e delle applicazioni di potenza. Infine, le conoscenze acquisite nell'ambito del progetto sono destinate a fornire un prezioso contributo all'avanzamento delle ricerche in questo campo.
