Los transistores de efecto de campo
Los transistores de efecto de campo tienen cuatro terminales conocidas como puerta, drenador, fuente y cuerpo. La corriente discurre por una trayectoria semiconductora llamada «canal». Aunque el diámetro físico de este canal es fijo, su conductividad puede variarse. Esto se consigue aplicando un voltaje a un electrodo de control llamado «puerta». Ese cambio del voltaje de la puerta causa una gran variación de la corriente entre los dos extremos del canal o, lo que es lo mismo, de la fuente al drenador. Hay dos tipos de canales, según el material semiconductor utilizado: los canales n y los canales p. En el material de tipo n, los portadores de carga son electrones, mientras que en el material de tipo p las cargas eléctricas son transportadas principalmente en forma de deficiencias de electrones llamadas «huecos». La demanda de una densidad de corriente alta ha sido la dificultad más importante que ha habido que afrontar para construir el láser de inyección orgánico. Los esfuerzos se centran, por un lado, en maximizar la capacidad de transporte de corriente del dispositivo y, por otro lado, en limitar la densidad de corriente que es necesaria. Para lograr el primer objetivo se utiliza material orgánico cristalino de transporte de carga en una configuración de transistor de película fina (TFT). Para lograr el segundo objetivo, un complejo de metal, el cual abarca el aceptador de energía y el punto de emisión, actúa como sistema electroluminiscente de transferencia de energía de alta eficiencia. La combinación de estas dos técnicas ha permitido crear transistores FET con características de corriente ambipolares utilizando un canal n y un canal p. Es el resultado de emplear una capa de transporte ambipolar orgánica, compuesta de una película fina coevaporada de dos materiales orgánicos, uno portador de huecos y otro portador de electrones. La intensidad de luz es controlada por el voltaje drenador-fuente y el voltaje de la puerta. La estructura del dispositivo muestra la manera de ajustar la movilidad de los electrones y de los huecos por coevaporación de dos semiconductores orgánicos diferentes.
