Feldeffekttransistoren
An den Feldeffekttransistoren befinden sich vier Anschlüsse: Gate, Drain, Source und Body. Der Strom fließt einen als Kanal bezeichneten Halbleiterpfad entlang. Der physikalische Durchmesser dieses Kanals ist festgelegt, aber die Leitfähigkeit kann verändert werden. Dies geschieht mittels Anlegens einer Spannung an eine als Gate bezeichnete Steuerelektrode. Durch Spannungsveränderungen am Gate kommt es zu einer starken Variation des Stroms zwischen den beiden Enden, also zwischen Source und Drain. Je nach dem Halbleitermaterial gibt es zwei Arten von Kanälen, die n-Kanäle und die p-Kanäle. Beim n-Material sind die Ladungsträger Elektronen, während die elektrischen Ladungen beim p-Material vorwiegend als Elektronenmängel, Löcher oder Holes genannt, transportiert werden. Der Bedarf an hoher Stromdichte stellt bei der Fertigung eines organischen Injektionslasers das Hauptproblem dar. Man ist bestrebt, die Stromleitfähigkeit des Geräts zu maximieren und gleichzeitig die erforderliche Stromdichte einzuschränken. Im ersten Fall verwendet man für den Ladungstransport kristallines organisches Material in einer Dünnfilmtransistor-Konfiguration (TFT - thin-film transistor). Für das zweite Ziel dient ein Metallkomplex, an dem Energie aufgenommen und abgegeben wird, als ein hocheffizientes, lumineszentes Energietransfersystem. Das Ergebnis aus einer Kombination dieser beiden Verfahren sind FETs mit ambipolaren Stromkennlinien, die einen n-Kanal und einen p-Kanal nutzen. Dies wurde durch die Verwendung einer organischen ambipolaren Transportschicht möglich. Die Schicht bestand aus einem dünnen Film von zwei gleichzeitig verdampften organischen Stoffen, einem Lochtransport und einem Elektronentransport. Die Lichtintensität wird durch die Drain-Source-Spannung und die Gate-Spannung gesteuert. Die Gerätestruktur deutet an, wie die Mobilität von Elektronen und Löchern durch gleichzeitiges Verdampfen von zwei verschiedenen organischen Halbleitern angepasst werden kann.
