Transistor a effetto campo
I transistor a effetto campo hanno quattro terminali: porta, pozzo, sorgente e corpo. La corrente scorre in una pista del semiconduttore detta canale. Il diametro fisico del canale è fisso, ma la sua conduttività può essere variata. Questo si ottiene applicando una tensione all'elettrodo di controllo, detto porta. La variazione di tensione nella porta genera un'ampia variazione di corrente tra i due terminali del canale, sorgente e pozzo. A seconda del materiale del semiconduttore, esistono due tipi di canale: canale-N e canale-P. Nel materiale tipo N la carica è trasportata dagli elettroni, mentre nel materiale tipo P le cariche elettriche vengono trasportate soprattutto sotto forma di assenze di elettroni (dette lacune). La principale difficoltà nel realizzare un lasing organico a iniezione è la necessità di alta densità di corrente. Gli sforzi si sono concentrati sulla massimizzazione delle capacità di trasporto di corrente del dispositivo e la contemporanea minimizzazione della densità di corrente necessaria. Il primo obiettivo si consegue usando una configurazione di materiale organico cristallino che trasporta la carica in un transistor a film sottile (TFT). Il secondo si ottiene usando un metallo complesso (che include il punto di destinazione dell'energia e il punto di emissione) che agisce come sistema ad emissione di luce altamente efficiente per il trasferimento dell'energia. Riunendo le due tecniche si sono ottenuti FET con caratteristiche di corrente bipolare che utilizzano sia il canale-N che il canale-P. Il risultato è stato reso possibile dall'uso di uno strato di trasporto organico bipolare composto da un film sottile coevaporato con due materiali organici, un trasportatore a lacune e un trasportatore a elettroni. L'intensità della luce è controllata dalla tensione pozzo-sorgente e dalla tensione porta. La struttura del dispositivo apre la strada per regolare le mobilità di elettrone e di lacuna mediante la coevaporazione di due semiconduttori organici differenti.
