Jornadas sobre tecnología de silicio sobre aislante en Gotemburgo (Suecia)
Los días 19 a 21 de enero de 2009 tendrán lugar en Gotemburgo (Suecia) las quintas jornadas de EUROSOI 2009 («Red temática sobre circuitos, dispositivos y tecnología de silicio sobre aislante»).
Se trata de un foro internacional que pretende fomentar la interacción y la comunicación entre grupos de investigación y socios industriales implicados en las actividades relacionadas con el silicio sobre aislante (SOI) en todo el mundo.
EUROSOI 2009 se celebrará en la Universidad Tecnológica Chalmers y constará de ponencias, sesiones de posters, conferencias invitadas, un cursillo y tiempo suficiente para debates informales.
El programa abarca los últimos avances en las tecnologías de SOI y resultará de interés para especialistas en materiales y diversos dispositivos, así como para ingenieros de procesos, circuitos y aplicaciones industriales. Algunos de los temas previstos son:
- síntesis de obleas avanzadas de SOI;
- evaluación de materiales, propiedades de películas ultrafinas y capas de óxido enterrado, calidad de la interfaz;
- transistores de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y SOI: caracterización, modelización y simulación de mecanismos típicos, extracción de parámetros, cuestiones de fiabilidad;
- semiconductores complementarios de óxido de metal (CMOS) de altas prestaciones y dispositivos bipolares: circuitos de baja potencia/voltaje y radiofrecuencia, memorias, sensores y sistemas microelectromecánicos (MEMS);
- dispositivos innovadores: puertas múltiples, transistores de efecto túnel.
Este evento está copatrocinado por la Red de Excelencia NANOSIL, financiada con fondos comunitarios.Para obtener más información, consulte:
http://chalmers2009.eurosoi.org/