Laboratorio sulle tecnologie del silicio su isolante, Gothenburg, Svezia
19 Gennaio 2009 - 19 Gennaio 2009
Svezia
Dal 19 al 21 gennaio si terrà a Gothenburg, in Svezia, il quinto laboratorio della EUROSOI 2009 ("Rete tematica sulle tecnologie, i dispositivi e i circuiti del silicio su isolante").
Si tratta di un forum internazionale per promuovere l'interazione e gli scambi tra gruppi di ricerca e partner industriali che si occupano di silicio su isolante (SOI) in tutto il mondo.
EUROSOI 2009 si terrà presso la Chalmers University of Technology e comprenderà sessioni orali e con poster, presentazioni chiave, un tutorial e ampio spazio per discussioni informali.
Il programma copre i recenti progressi nelle tecnologie SOI e sarà di interesse per scienziati che si occupano di materiali e dispositivi e per ingegneri interessati ai processi, circuiti e applicazioni. Gli argomenti tipici comprendono:
- la sintesi di wafer SOI avanzati;
- valutazione dei materiali, proprietà dei film ultra sottili e ossidi sepolti, difetti e stress, qualità dell'interfaccia;
- transistor SOI ad effetto campo in tecnologia metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET): caratterizzazione, modellazione e simulazione di meccanismi tipici, estrazione di parametri, questioni di affidabilità;
- semiconduttori ad ossido di metallo complementari (CMOS) ad alto rendimento e dispositivi bipolari: circuiti a basso consumo/voltaggio e a radio frequenza (RF), memorie, sensori e sistemi microelettromeccanici (MEMS);
- dispositivi innovativi: transistor a iniezione multipla, ad effetto tunnel.
L'evento è in parte sponsorizzato dalla Rete di eccellenza finanziata dall'UE NANOSIL.Per ulteriori informazioni, visitare:
http://chalmers2009.eurosoi.org/(si apre in una nuova finestra)
Si tratta di un forum internazionale per promuovere l'interazione e gli scambi tra gruppi di ricerca e partner industriali che si occupano di silicio su isolante (SOI) in tutto il mondo.
EUROSOI 2009 si terrà presso la Chalmers University of Technology e comprenderà sessioni orali e con poster, presentazioni chiave, un tutorial e ampio spazio per discussioni informali.
Il programma copre i recenti progressi nelle tecnologie SOI e sarà di interesse per scienziati che si occupano di materiali e dispositivi e per ingegneri interessati ai processi, circuiti e applicazioni. Gli argomenti tipici comprendono:
- la sintesi di wafer SOI avanzati;
- valutazione dei materiali, proprietà dei film ultra sottili e ossidi sepolti, difetti e stress, qualità dell'interfaccia;
- transistor SOI ad effetto campo in tecnologia metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET): caratterizzazione, modellazione e simulazione di meccanismi tipici, estrazione di parametri, questioni di affidabilità;
- semiconduttori ad ossido di metallo complementari (CMOS) ad alto rendimento e dispositivi bipolari: circuiti a basso consumo/voltaggio e a radio frequenza (RF), memorie, sensori e sistemi microelettromeccanici (MEMS);
- dispositivi innovativi: transistor a iniezione multipla, ad effetto tunnel.
L'evento è in parte sponsorizzato dalla Rete di eccellenza finanziata dall'UE NANOSIL.Per ulteriori informazioni, visitare:
http://chalmers2009.eurosoi.org/(si apre in una nuova finestra)