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Atelier sur les technologies silicium sur isolant à Göteborg, en Suède

Le cinquième atelier du réseau «Thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits» (EUROSOI 2009) se tiendra du 19 au 21 janvier 2009 à Göteborg, en Suède.

L'évènement consiste en un forum international qui encourage les interactions et les échanges e...

19 Janvier 2009 - 19 Janvier 2009
Suède
Le cinquième atelier du réseau «Thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits» (EUROSOI 2009) se tiendra du 19 au 21 janvier 2009 à Göteborg, en Suède.

L'évènement consiste en un forum international qui encourage les interactions et les échanges entre groupes de recherche et partenaires industriels pratiquant des activités basées sur l'utilisation du silicium sur isolant (SOI) dans le monde entier.

EUROSOI 2009 aura lieu à l'université de technologie Chalmers et comptera des présentations orales et sur affiche, des discours-programmes et des travaux dirigés; par ailleurs, une grande place sera accordée aux débats informels.

Les progrès récents réalisés dans le domaine des technologies du SOI seront à l'ordre du jour; le programme intéressera les scientifiques spécialisés dans les matériaux et les appareils ainsi que les ingénieurs orientés vers les processus, les circuits et les applications. Les thèmes suivants seront abordés:
- la synthèse des tranches de SOI avancées;
-l'évaluation du matériel, les propriétés des films extrêmement fins et des oxydes enterrés, les défauts et le stress, la qualité de l'interface;
- les transistors à effet de champ (à grille) métal-oxyde SOI (MOSFET): la caractérisation, la modélisation et la simulation de mécanismes classiques, l'extraction de paramètres, les questions de fiabilité;
- les dispositifs bipolaires et semi-conducteurs métal-oxyde complémentaires (CMOS pour complementary metal-oxide-semiconductors) à haute performance: faible consommation, basse tension et circuits de radio fréquence (RF), mémoires, capteurs et microsystèmes électromécaniques (MEMS pour microelectromechanical systems);
- les appareils innovants: les grilles multiples, l'effet tunnel dans les transistors.

L'évènement est en partie parrainé par le réseau d'excellence NANOSIL, financé par l'UE.Pour de plus amples informations, consulter:
http://chalmers2009.eurosoi.org/