Descripción del proyecto
Nanoelectronics
The radio-frequency devices have been so far built exclusively on bulk materials (GaAs, InP, SiC ). However, new applications are requesting higher performances (operating voltage, maximum power or operating temperature) from those devices and substrates materials appear to become one of the major limiting factors.
GaN is foreseen as the material of choice for High Power Radio Frequency High Electron Mobility Transistor (HEMT). But single crystal GaN epitaxial layers can only be grown on SiC or GaN substrates (both being expensive and limited in size and quantity). More recently Sapphire and bulk Silicon have been used as substrates for GaN HEMT, but suffered from low thermal conductivity. The objective of this project is to prove the adequacy of a new type of composite substrate, able to provide a cost efficient solution that will leverage the use of advanced high power devices in wireless communication systems.
The proposed innovative approach is based on thin single crystal "seed layer" transferred on top of a thick semi-insulating polycrystalline material tailored for thermal dissipation . This project aims to investigate and optimize two different substrates capable of supporting GaN HEMT devices :
SiC on polycrystalline SiC : the high quality single crystal SiC acts as the seed layer, on top of an inexpensive high thermal conductivity layer, the polycrystalline SiC. This substrate will significantly improve the cost of GaN HEMT structure grown on it. Si on polycrystalline SiC : The silicon as seed layer will provide large diameter substrate for manufacturing of GaN HEMT (4 or 6 inches) and the polycrystalline SiC will significantly improve the thermal conductivity as opposed to bulk silicon. This can be dedicated to large volume applications.
The Hyphen projects will develop and characterize the complete technology chain, from susbtrate to discrete devices.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
FP6-2004-IST-4
Consulte otros proyectos de esta convocatoria
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Coordinador
91971 Courtaboeuf 7
Francia
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.