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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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Contenuto archiviato il 2024-05-29

Hybrid Substrates for Competitive High Frequency Electronics

Descrizione del progetto


Nanoelectronics

The radio-frequency devices have been so far built exclusively on bulk materials (GaAs, InP, SiC ). However, new applications are requesting higher performances (operating voltage, maximum power or operating temperature) from those devices and substrates materials appear to become one of the major limiting factors.
GaN is foreseen as the material of choice for High Power Radio Frequency High Electron Mobility Transistor (HEMT). But single crystal GaN epitaxial layers can only be grown on SiC or GaN substrates (both being expensive and limited in size and quantity). More recently Sapphire and bulk Silicon have been used as substrates for GaN HEMT, but suffered from low thermal conductivity. The objective of this project is to prove the adequacy of a new type of composite substrate, able to provide a cost efficient solution that will leverage the use of advanced high power devices in wireless communication systems.
The proposed innovative approach is based on thin single crystal "seed layer" transferred on top of a thick semi-insulating polycrystalline material tailored for thermal dissipation . This project aims to investigate and optimize two different substrates capable of supporting GaN HEMT devices :
SiC on polycrystalline SiC : the high quality single crystal SiC acts as the seed layer, on top of an inexpensive high thermal conductivity layer, the polycrystalline SiC. This substrate will significantly improve the cost of GaN HEMT structure grown on it. Si on polycrystalline SiC : The silicon as seed layer will provide large diameter substrate for manufacturing of GaN HEMT (4 or 6 inches) and the polycrystalline SiC will significantly improve the thermal conductivity as opposed to bulk silicon. This can be dedicated to large volume applications.
The Hyphen projects will develop and characterize the complete technology chain, from susbtrate to discrete devices.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP6-2004-IST-4
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

STREP - Specific Targeted Research Project

Coordinatore

PICOGIGA INTERNATIONAL
Contributo UE
€ 796 296,00
Indirizzo
Place Marcel Rebuffat Parc de Villejust
91971 Courtaboeuf 7
Francia

Mostra sulla mappa

Tipo di attività
Other
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (8)

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