Projektbeschreibung
Nanoelectronics
The radio-frequency devices have been so far built exclusively on bulk materials (GaAs, InP, SiC ). However, new applications are requesting higher performances (operating voltage, maximum power or operating temperature) from those devices and substrates materials appear to become one of the major limiting factors.
GaN is foreseen as the material of choice for High Power Radio Frequency High Electron Mobility Transistor (HEMT). But single crystal GaN epitaxial layers can only be grown on SiC or GaN substrates (both being expensive and limited in size and quantity). More recently Sapphire and bulk Silicon have been used as substrates for GaN HEMT, but suffered from low thermal conductivity. The objective of this project is to prove the adequacy of a new type of composite substrate, able to provide a cost efficient solution that will leverage the use of advanced high power devices in wireless communication systems.
The proposed innovative approach is based on thin single crystal "seed layer" transferred on top of a thick semi-insulating polycrystalline material tailored for thermal dissipation . This project aims to investigate and optimize two different substrates capable of supporting GaN HEMT devices :
SiC on polycrystalline SiC : the high quality single crystal SiC acts as the seed layer, on top of an inexpensive high thermal conductivity layer, the polycrystalline SiC. This substrate will significantly improve the cost of GaN HEMT structure grown on it. Si on polycrystalline SiC : The silicon as seed layer will provide large diameter substrate for manufacturing of GaN HEMT (4 or 6 inches) and the polycrystalline SiC will significantly improve the thermal conductivity as opposed to bulk silicon. This can be dedicated to large volume applications.
The Hyphen projects will develop and characterize the complete technology chain, from susbtrate to discrete devices.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
FP6-2004-IST-4
Andere Projekte für diesen Aufruf anzeigen
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Koordinator
91971 Courtaboeuf 7
Frankreich
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.