Description du projet
Nanoelectronics
The radio-frequency devices have been so far built exclusively on bulk materials (GaAs, InP, SiC ). However, new applications are requesting higher performances (operating voltage, maximum power or operating temperature) from those devices and substrates materials appear to become one of the major limiting factors.
GaN is foreseen as the material of choice for High Power Radio Frequency High Electron Mobility Transistor (HEMT). But single crystal GaN epitaxial layers can only be grown on SiC or GaN substrates (both being expensive and limited in size and quantity). More recently Sapphire and bulk Silicon have been used as substrates for GaN HEMT, but suffered from low thermal conductivity. The objective of this project is to prove the adequacy of a new type of composite substrate, able to provide a cost efficient solution that will leverage the use of advanced high power devices in wireless communication systems.
The proposed innovative approach is based on thin single crystal "seed layer" transferred on top of a thick semi-insulating polycrystalline material tailored for thermal dissipation . This project aims to investigate and optimize two different substrates capable of supporting GaN HEMT devices :
SiC on polycrystalline SiC : the high quality single crystal SiC acts as the seed layer, on top of an inexpensive high thermal conductivity layer, the polycrystalline SiC. This substrate will significantly improve the cost of GaN HEMT structure grown on it. Si on polycrystalline SiC : The silicon as seed layer will provide large diameter substrate for manufacturing of GaN HEMT (4 or 6 inches) and the polycrystalline SiC will significantly improve the thermal conductivity as opposed to bulk silicon. This can be dedicated to large volume applications.
The Hyphen projects will develop and characterize the complete technology chain, from susbtrate to discrete devices.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
FP6-2004-IST-4
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
91971 Courtaboeuf 7
France
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.