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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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Contenuto archiviato il 2024-06-16

Chemical vapour deposition of Chalcogenide materials for phase-change memories

Obiettivo

Chalcogenide-based phase change materials (which contain at least one element from Group VI in the periodic table: Te, Se,or S) have recently generated strong attention for electronic memory applications, due to their success as optical storage media. Phase-change memories (PCM) are one of the most promising candidates for next-generation non-volatile memories, having the potential to improve the performance compared to Flash memories as well as to be scalable beyond Flash technology.

One technological issue is the phase-change layer deposition process, which principally determines the implementation of the material properties. Phase-change films are currently grown by sputtering, a physical vapour deposition technique, which has yielded demonstrator chips. However, for continued down-scaling for high-density nanoelectronic devices and lower programming currents, greater control of film deposition over non-planar structures is than possible with sputtering is necessary. Despite this need, no other deposition routes are available nor widely studied.

Overall Objectives

The project therefore aims at the development of a film manufacturing process based on a chemical-based technique, metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). MOCVD enables the production of thin films with superior quality compared to those obtained by sputtering, especially in terms of conformality, coverage, and stoichiometry control, and allows implementation of phase-change films in nanoelectronic devices. The main phase-change chalcogenide material system that will be investigated is Ge2Sb2Te5 (GST). Once a suitable process is developed, it will be used to fabricate state-of-the-art memory cells at the 90/65 nm node, and the electrical performance compared with standard devices based on sputtered GST. Doping of GST and modified compounds will also be investigated to improve device performance.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

Dati non disponibili

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

STREP - Specific Targeted Research Project

Coordinatore

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Contributo UE
Nessun dato
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (5)

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