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Embedded storage elements on next MCU generation ready for AI on the edge

Descripción del proyecto

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Sistema de alto rendimiento en un chip para computación perimetral

El silicio sobre aislante completamente empobrecido (FD-SOI, por sus siglas en inglés) es una tecnología innovadora que aprovecha el proceso planar establecido, a la vez que proporciona generaciones sucesivas de chips más pequeños. Ayuda a mantener la ley de Moore en marcha sin implicar procesos de fabricación complejos. El proyecto financiado con fondos europeos StorAIge busca desarrollar e industrializar el transistor de FD-SOI de 28 nm y la memoria de cambio de fase integrada con el objetivo de desarrollar soluciones de sistema en un chip para aplicaciones de computación perimetral. El proyecto se centra en conjuntos de circuitos integrados y soluciones con memorias muy eficientes y una potencia informática de 10 TOPS/W. StorAIge ayudará a definir la manera en que la inteligencia artificial podría dirigir los dispositivos perimetrales de próxima generación, prestando especial atención a las aplicaciones automovilísticas, industriales y de seguridad.

Objetivo

The main objective of the storAIge project is the development and industrialization of FDSOI 28nm and next generation embedded Phase Change Memory (ePCM) world-class semiconductor technologies, allowing the prototyping of high performance, Ultra low power and secured & safety System on Chip (SoC) solutions enabling competitive Artificial Intelligence (AI) for Edge applications. The main challenge addressed by the project is on one hand to handle the complexity of sub-28nm ‘more than moore’ technologies and to bring them up at a high maturity level and on the other hand to handle the design of complex SoCs for more intelligent, secure, flexible, low power consumption and cost effective. The project is targeting chipset and solutions with very efficient memories and high computing power targeting 10 Tops per Watt.
The development of the most advanced automotive microcontrollers in FDSOI 28nm ePCM will be the support technology to demonstrate the high performances path as well as the robustness of the ePCM solution. The next generation of FDSOI ePCM will be main path for general purpose advanced microcontrollers usable for large volume Edge AI application in industrial and consumer markets with the best compromise on three requirements: performances, low power and adequate security.
On top of the development and industrialization of silicon process lines and SoC design, storAIge will also address new design methodologies and tools to facilitate the exploitation of these advanced technology nodes, particularly for high performance microcontrollers having AI capabilities. Activities will be performed to setup robust and adequate Security and Safety level in the final applications, defining and implementing the good ‘mixture’ and tradeoff between HW and SW solutions to speed up adoption for large volume applications.

Ámbito científico

Palabras clave

Programa(s)

Tema(s)

Convocatoria de propuestas

H2020-ECSEL-2020-1-IA-two-stage

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Régimen de financiación

IA - Innovation action

Coordinador

STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Aportación neta de la UEn
€ 5 660 860,50
Dirección
RUE JEAN MONNET 850
38920 Crolles
Francia

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Región
Auvergne-Rhône-Alpes Rhône-Alpes Isère
Tipo de actividad
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Enlaces
Coste total
€ 28 304 302,50

Participantes (43)

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Última actualización: 15 Julio 2024

Mi folleto

Permalink: https://cordis.europa.eu/project/id/101007321/es

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