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Highly Energy-Efficient Resistive Switching in Defect- and Strain- Engineered Mott Insulators for Neuromorphic Computing Applications

Obiettivo

The pressing need for beyond-von-Neumann computing paradigms has triggered intensive efforts into understanding and controlling various resistive switching (RS) mechanisms. This switching, in which the two terminal resistance of a device is controlled by current is at the heart of emerging technologies such as resistive random access memory and neuromorphic computation. These technologies promise to revolutionize artificial neural networks and mimic the behavior of biological brains, triggering a race the for optimal RS materials.

In Mott insulators electrical currents can change resistance by orders-of-magnitude due to an insulator-metal phase transition. The volatility of switching in Mott insulators can be adjusted by several tuning parameters, enabling both memory devices and neuron-like functionalities. Moreover, in terms of fundamental switching timescales and energy efficiency, Mott insulators may have very significant advantages over other RS mechanisms. These unique properties have made Mott insulators prominent candidate materials for RS. However, the physical mechanisms behind RS in these materials are not well understood and often uncontrollable, hampering realization of their full potential.

We suggest two main routes towards Mott-insulator-based RS with ultrahigh energy efficiency. The first is by switching purely in the electronic sector while minimizing structural distortions. Thus, the low heat capacity of electrons may enable switching with a fraction of the energy required in an insulator-metal transition coupled to a structural transition. The second is absorption of latent heat and/or elastic energy from the surroundings of the switching volume, thus reducing the externally supplied power consumption. Our aim is to use defects, doping and strain engineering to understand and tune RS mechanisms, and develop novel functionalities with ultra-low energy consumption.

Parole chiave

Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

HORIZON-ERC - HORIZON ERC Grants

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) ERC-2021-STG

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Istituzione ospitante

TECHNION - ISRAEL INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 1 500 000,00
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

€ 1 500 000,00

Beneficiari (1)

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