Sustainable tecHnologies enablIng Future Telecommunication applications

Informations projet

SHIFT

N° de convention de subvention: 101096256

DOI

10.3030/101096256

Date de signature de la CE 9 Decembre 2022

Date de début 1 Decembre 2022

Date de fin 30 Novembre 2025

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 67 327 514,51

Contribution de l’UE

€ 18 700 384,32

Coordonné par

STMICROELECTRONICS FRANCE
France

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

SHIFT project website

Documents, reports (1)

SHIFT Management Plan

Publications

Conference proceedings (16)

Effects of X-ray and Gamma irradiation on advanced Si/SiGe:C HBTs DC characteristics

Auteurs: J. El Beyrouthy , B. Sagnes , F. Pascal , A. Hoffmann , A. Ayenew , J. Boch , T. Maraine , S. Haendler , P. Chevalier , D. Gloria , M. Bouhouche
Publié dans: 2023
Éditeur: RADECS 2023

What causes the fluctuations in fmax with respect to frequency?

Auteurs: S. Fregonese, T. Zimmer
Publié dans: 2023
Éditeur: BipAK

Compact D-Band Passive Phase Shifters with Fine and Coarse Control Steps in BiCMOS-55nm

Auteurs: Lorenzo Piotto, Guglielmo De Filippi, Mahmoud M. Pirbazari, Andrea Mazzanti
Publié dans: 2024 IEEE 24th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SiRF59913.2024.10438529

Total Ionizing Dose in 130-nm and 55-nm SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors

Auteurs: A. Adebabay Belie, F. Pascal, J. Boch, T. Maraine, A.Hoffmann, M. Bouhouche, B. Sagnes, P. Chevalier, D. Gloria
Publié dans: 2024
Éditeur: RADECS 2024, Conference on radiation and its Effects on Components and Systems

Design and Performance of Slow-wave Microstrip Lines in BiCMOS Technology

Auteurs: Leonardo A. G. Gomes, João Lé, Ariana L. C. Serrano, Gustavo P. Rehder, Cédric Durand, Mohammed Wehbi, Philippe Ferrari
Publié dans: 2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/EuMIC61603.2024.10732853

A SiGe BiCMOS D-Band LNA with Gain Boosted by Local Feedback in Common-Emitter Transistors

Auteurs: Guglielmo De Filippi, Lorenzo Piotto, Andrea Bilato, Andrea Mazzanti
Publié dans: 2023
Éditeur: 2023 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC)
DOI: 10.1109/RFIC54547.2023.10186168

Low-noise Si/SiGe HBT for LEO satellite user terminals in Ku-Ka bands

Auteurs: A. Gauthier, E. Brezza, A. Montagné, N. Guitard, J. Azevedo Goncalves, M. Buczko, S. Jan, N. Derrier, D. Céli, C. Deglise-Favre, J. Ma, H. Audouin, F. Deprat, D. Ristoiu, L. Berthier, L. Clément, B. Grelaud, C. Rougier, P. Chevalier
Publié dans: 2023
Éditeur: 2023 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
DOI: 10.1109/BCICTS54660.2023.10310961

Challenges in characterizing BiCMOS SiGe HBT technologies for FOM evaluation and compact modelling

Auteurs: Sebastien Fregonese, Magali de Matos, Thomas Zimmer
Publié dans: 2024
Éditeur: The 19th ARTFG On-Wafer Users Forum-EuMW-2024 Conference

Challenges of on-wafer S-parameter characterization of advanced SiGe HBTs at very high frequencies

Auteurs: S. Fregonese, T. Zimmer
Publié dans: 2024
Éditeur: Workshop EuMW 2023

Low frequency noise study of X-ray irradiated Si/SiGe:C BiCMOS technology bipolar transistors

Auteurs: A Adebabay Belie, J El Beyrouthy, Fabien Pascal, J Boch, T Maraine, M Bouhouche, Bruno Sagnes, S Haendler, P Chevalier, D Gloria
Publié dans: 2023
Éditeur: 26th International Conference on Noise and Fluctuations

A 20mW 130-175GHz Phase Shifter with Meandered λ/2 TLINEs in BiCMOS 55nm

Auteurs: Lorenzo Piotto, Guglielmo De Filippi, Andrea Bilato and Andrea Mazzanti
Publié dans: 2023
Éditeur: IEEE 49th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC)
DOI: 10.1109/ESSCIRC59616.2023.10268727

A D-Band Low-Noise-Amplifier in SiGe BiCMOS with Broadband Multi-Resonance Matching Networks

Auteurs: Guglielmo De Filippi, Lorenzo Piotto, Andrea Bilato, Andrea Mazzanti
Publié dans: 2023
Éditeur: 2023 18th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
DOI: 10.23919/EuMIC58042.2023.10288669

Comparaison des Modles de Calibrage pour l'extraction des performances RF d'un Transistor HBT SiGE en haute frquence

Auteurs: T. Bouzar, P. Billy, J. Varghese, J. D. Arnould, M. De Matos, T. Zimmer, S. Fregonese
Publié dans: 2023
Éditeur: 1ere Journées techniques Radio-Frequency Test Facility Network

Next Generation SiGe HBTs for Energy Efficient Microwave Power Amplification (Invited)

Auteurs: Soumya Ranjan Panda, Philippine Billy, Alexis Gauthier, Nicolas Guitard, Pascal Chevalier, Magali De Matos, Thomas Zimmer, Sebastien Fregonese
Publié dans: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/EDTM58488.2024.10511770

A Compensated Finite-Ground Elevated Coplanar Waveguide Interconnect Strategy for InP Based Integrated Circuits Above 100 GHz

Auteurs: T. K. Johansen, R. Hersent, V. Nodjiadjim, M. Riet, C. Mismer, B. Ardouin
Publié dans: 2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/EuMIC61603.2024.10732365

A multi band flexible N-path filter suited for non-contiguous channel aggregation

Auteurs: Chadi Jabbour
Publié dans: 2024 25th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ISQED60706.2024.10528677

Peer reviewed articles (4)

Exploring Compact Modeling of SiGe HBTs in Sub-THz Range With HICUM

Auteurs: S. R. Panda, T. Zimmer, A. Chakravorty, N. Derrier and S. Fregonese
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/TED.2023.3321017

Establishing On-Wafer Calibration Standards for the 16-Term Error Model: Application to Silicon High-Frequency Transistor Characterization

Auteurs: Sebastien Fregonese, Thomas Zimmer
Publié dans: IEEE Journal of Microwaves, Numéro 4, 2024, ISSN 2692-8388
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JMW.2024.3413865

InP DHBT 200-GSa/s Large Output Swing AMUX-Driver Using Transimpedance Stage Loading for 200-Gbaud-and-Beyond Optical Transceivers

Auteurs: Romain Hersent, Agnieszka Konczykowska, Virginie Nodjiadjim, Nil Davy, Muriel Riet, Colin Mismer, Filipe Jorge, Fabrice Blache, Michel Goix, Qian Hu, Marina Deng, Chhandak Mukherjee, Cristell Maneux, Mengyue Xu, Yuntao Zhu, Lifeng Chen, Ziyang Hu, Xinlun Cai, Haïk Mardoyan, Jérémie Renaudier, Bertrand Ardouin
Publié dans: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2025, ISSN 0018-9480
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TMTT.2025.3569647

SiGe BiCMOS D-Band Heterodyne Power Mixer With Back-Off Efficiency Enhanced by Current Clamping

Auteurs: Andrea Bilato, Ibrahim Petricli, Andrea Mazzanti
Publié dans: IEEE Solid-State Circuits Letters, Numéro 7, 2023, ISSN 2573-9603
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/LSSC.2023.3332766

Book chapters (9)

Dband Phased Array Antenna Module for 5G Backhaul

Auteurs: A. Fonte, S. Moscato, R. Moro, A. Pallotta, A. Mazzanti, A. Bilato, G. De Filippi, L. Piotto, F. Centurelli, P. Monsurr, H. Sadeghi Chameh, P. Tommasino, A. Trifiletti, D. Lodi Rizzini, F. Tesolin, S. M. Dartizio, and S. Levantino
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

KaBand GaNonSiC Power Amplifier for High EIRP Satellite Phased Antenna Array

Auteurs: Francesco Manni, Paolo Colantonio, Rocco Giofr, Ernesto Limiti, Patrick Ettore Longhi, Steven Caicedo Mejillones, Stefano Moscato, and Alessandro Fonte
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

Analog Multiplexing for Bandwidth and Sampling Rate Multiplication of Digital−Analog Converters in Coherent Optical Transmission Systems

Auteurs: Oliver Hauck, Fred Buchali, Michael Collisi, and Michael Möller
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

Sub-THz Transceiver Design for Future Generation Mobile Communications

Auteurs: G. Mangraviti, C. Dehos, V. Puyal, O. Richard, G. Yaakoubi khbiza, F. Foglia Manzillo, X. V. L. Nguyen, F. Filice, E. Noccetti, P. L. Hellier, F. Podevin, S. Bourdel, A. Ruffino, K.-S. Choi, B. Abdelaziz Abdelmagid, M. Eleraky, H. Wang, B. Ardouin, T. K.
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

The Impact of Irradiation on DC Characteristics and Low-Frequency Noise of Advanced SiGe:C HBTs

Auteurs: B. Sagnes, A. Adebabay Belie, M. Bouhouche, J. El Beyrouthy, F. Pascal, J. Boch, P. Chevalier, and D. Gloria
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

B55X: A SHIFT in STMicroelectronics BiCMOS Technologies

Auteurs: P. Chevalier, A. Gauthier, N. Guitard, V. Milon, F. Monsieur, N. Derrier, C. Deglise-Favre, D. Cli, C. Durand, O. Foissey, F. Sonnerat, F. Gianesello, D. Gloria
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

D-band Modulated Signal Generation using Photonics Techniques

Auteurs: Y. M. Wodaje, B. Baridi, O. Occello, F. Danneville, P. Szriftgiser, and G. Ducournau
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

Challenges for 2.5D and 3D Integration of InP HBT Technology

Auteurs: Bertrand Ardouin, Tom K. Johansen, Antoine Chauvet, Romain Hersent, Virginie Nodjiadjim, Agnieszka Konczykowska, Nil Davy, Muriel Riet and Colin Mismer
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

Decarbonizing the Electronics Industry to Achieve Net Zero (2024)

Auteurs: Gunther Walden
Publié dans: 2024
Éditeur: RiverPublishers

Monographic books (1)

Key Enabling Technologies for Future Wireless, Wired, Optical and Satcom Applications

Auteurs: Björn Debaillie, Philippe Ferrari, Didier Belot, François Brunier, Christophe Gaquiere, Pierre Busson, Urtė Steikūnienė
Publié dans: Key Enabling Technologies for Future Wireless, Wired, Optical and Satcom Applications, 2024
Éditeur: River Publisher
DOI: 10.13052/rp-9788770046640