Perovskite Spiking Neurons for Intelligent Networks

Informations projet

PeroSpiker

N° de convention de subvention: 101097688

DOI

10.3030/101097688

Date de signature de la CE 21 Juin 2023

Date de début 1 Octobre 2023

Date de fin 30 Septembre 2028

Financé au titre de

• European Research Council (ERC)

Coût total

€ 2 498 004,00

Contribution de l’UE

€ 2 498 004,00

Coordonné par

UNIVERSITAT POLITECNICA DE VALENCIA
Spain

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Publications

Peer reviewed articles (22)

Switching Response in Organic Electrochemical Transistorsby Ionic Diffusion and Electronic Transport

Auteurs: Juan Bisquert, Baurzhan Ilyassov, Nir Tessler
Publié dans: Advanced Science, Numéro 2404182, 2024, ISSN 2198-3844
Éditeur: Wiley-VCH
DOI: 10.1002/ADVS.202404182

Synaptic Function in Memristor Devices for Neuromorphic Circuit Applications

Auteurs: Juan Bisquert, Wooyoung Shim, So‐Yeon Kim, Bernabe Linares‐Barranco
Publié dans: Advanced Electronic Materials, 2025, ISSN 2199-160X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.202400903

Relaxation Time of Multipore Nanofluidic Memristors for Neuromorphic Applications

Auteurs: Gonzalo Rivera-Sierra, Patricio Ramirez, Juan Bisquert, Agustín Bou
Publié dans: Journal of the American Chemical Society, 2025, ISSN 0002-7863
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/JACS.5C04903

Time Transients with Inductive Loop Traces in Metal Halide Perovskites

Auteurs: Enrique Hernández‐Balaguera; Juan Bisquert
Publié dans: Advanced Functional Materials, 2023, ISSN 1616-301X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/ADFM.202308678

Bifurcation and oscillations in fluidic nanopores: A model neuron for liquid neuromorphic networks

Auteurs: Alicia Cordero; Juan R. Torregrosa; Juan Bisquert
Publié dans: Physical Review Research, Numéro 7, 2025, ISSN 2643-1564
Éditeur: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/PHYSREVRESEARCH.7.013282

Inductive and Capacitive Hysteresis of Current-Voltage Curves: Unified Structural Dynamics in Solar Energy Devices, Memristors, Ionic Transistors, and Bioelectronics.

Auteurs: Juan Bisquert
Publié dans: PRX Energy, Numéro 3, 2024, ISSN 2768-5608
Éditeur: American Physical Society
DOI: 10.1103/PRXEnergy.3.011001

Hysteresis in Organic Electrochemical Transistors: Distinction of Capacitive and Inductive Effects

Auteurs: Juan Bisquert
Publié dans: Journal of Physical Chemistry Letters, Numéro 14, 49, 2023, ISSN 1948-7185
Éditeur: American Chemical Society; American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c03062

Hysteresis, Rectification, and Relaxation Times of Nanofluidic Pores for Neuromorphic Circuit Applications

Auteurs: Juan Bisquert
Publié dans: Advanced Physics Research, 2024, ISSN 2751-1200
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/APXR.202400029

Transient Charging of Mixed Ionic‐Electronic Conductors by Anomalous Diffusion

Auteurs: Heyi Zhang, Gonzalo Rivera‐Sierra, Shirin Siahjani‐Gultekin, Jenifer Rubio‐Magnieto, Anis Allagui, Ignacio Sanjuán, David Franco, Antonio Guerrero, Enrique H. Balaguera, Juan Bisquert
Publié dans: Advanced Materials, 2025, ISSN 0935-9648
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/ADMA.202507739

A one-transistor organic electrochemical self-sustained oscillator model for neuromorphic networks

Auteurs: Juan Bisquert, Nir Tessler
Publié dans: Newton, 2025, ISSN 2950-6360
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.NEWTON.2025.100207

Hysteresis in memristors produces conduction inductance and conduction capacitance effects

Auteurs: Bisquert, Juan; Roldán, Juan B.; Miranda, Enrique
Publié dans: Physical Chemistry Chemical Physics, 2024, ISSN 1463-9076
Éditeur: Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/D4CP00586D

Memristive InAs-Based Semiconductors with Anisotropic Ion Transport

Auteurs: Taeyoung Kim, Jongbum Won, Jihong Bae, Giyeok Lee, Minwoo Lee, Sangjin Choi, Sungsoon Kim, Dongchul Seo, Youngjun Cho, Taehoon Kim, Bokyeong Kim, Hong Choi, Byung-Kyu Yu, Jaegyeom Kim, Soohyung Park, Jinwoo Cheon, Jong-Young Kim, Juan Bisquert, Aloysius S
Publié dans: Advanced Materials, Numéro 37, 2025, ISSN 0935-9648
Éditeur: Wiley-VCH GmbH
DOI: 10.1002/ADMA.202500056

Synaptic Response of Fluidic Nanopores: The Connection of Potentiation with Hysteresis

Auteurs: Juan Bisquert, Marc Sánchez-Mateu, Agustín Bou, Cheryl Suwen Law, and Abel Santos
Publié dans: ChemPhysChem, Numéro e202400265, 2024, ISSN 1439-4235
Éditeur: Wiley-VCH GmbH, Weinheim
DOI: 10.1002/CPHC.202400265

Mapping of Internal Ionic/Electronic Transient Dynamics in Current–Voltage Operation of Perovskite Solar Cells

Auteurs: Bisquert, Juan; Balaguera, Enrique H.
Publié dans: Small, Numéro 2409534, 2024, ISSN 1613-6829
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/SMLL.202409534

Recent advances in fluidic neuromorphic computing

Auteurs: Cheryl Suwen Law, Juan Wang, Kornelius Nielsch, Andrew D. Abell, Juan Bisquert, Abel Santos
Publié dans: Applied Physics Reviews, Numéro 12, 2025, ISSN 1931-9401
Éditeur: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0235267

Introduction to neuromorphic functions of memristors: The inductive nature of synapse potentiation

Auteurs: So-Yeon Kim, Heyi Zhang, Gonzalo Rivera-Sierra, Roberto Fenollosa, Jenifer Rubio-Magnieto, Juan Bisquert
Publié dans: Journal of Applied Physics, Numéro 137, 2025, ISSN 0021-8979
Éditeur: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0257462

Hysteresis, Impedance, and Transients Effects in Halide Perovskite Solar Cells and Memory Devices Analysis by Neuron-Style Models

Auteurs: Juan Bisquert
Publié dans: Advanced Energy Materials, Numéro 2400442, 2024, ISSN 1614-6840
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/aenm.202400442

Synaptic Function in Memristor Devices for Neuromorphic Circuit Applications

Auteurs: Juan Bisquert, Wooyoung Shim, So‐Yeon Kim, Bernabe Linares‐Barranco
Publié dans: Advanced Electronic Materials, Numéro 11, 2025, ISSN 2199-160X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.202400903

Accelerating the Assessment of Hysteresis in Perovskite Solar Cells

Auteurs: Enrique H. Balaguera, Juan Bisquert
Publié dans: ACS Energy Lett., Numéro 9, 2024, ISSN 2380-8195
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsenergylett.3c02779

Advancing Logic Circuits With Halide Perovskite Memristors for Next‐Generation Digital Systems

Auteurs: Mostafa Shooshtari, So‐Yeon Kim, Saeideh Pahlavan, Gonzalo Rivera‐Sierra, Manuel Jiménez Través, Teresa Serrano‐Gotarredona, Juan Bisquert, Bernabé Linares‐Barranco
Publié dans: SmartMat, Numéro 6, 2025, ISSN 2766-8525
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/SMM2.70032

Bifurcation and Frequency Properties of S-Type Neuronic Oscillators

Auteurs: Juan Bisquert; Roberto Fenollosa; Alicia Cordero; Juan R. Torregrosa
Publié dans: The Journal of Physical Chemistry Letters, Numéro 16, 2025, ISSN 1948-7185
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.JPCLETT.5C00288

Operating Mechanism Principles and Advancements for Halide Perovskite-Based Memristors and Neuromorphic Devices

Auteurs: So-Yeon Kim, Heyi Zhang, Jenifer Rubio-Magnieto
Publié dans: The Journal of Physical Chemistry Letters, 2024, ISSN 1948-7185
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.JPCLETT.4C02170

Other (3)

Transient response of ion-controlled transistors: the result of ionic and electronic coupling

Auteurs: Bisquert, Juan
Publié dans: Proceedings of the Materials for Sustainable Development Conference (MATSUS Fall 24), 2024
DOI: 10.5281/ZENODO.14185685

Controlling capacitive and inductive hysteresis processes of halide perovskite for solar cell and neuromorphic applications

Auteurs: Bisquert, Juan
Publié dans: Proceedings of the International Conference on Hybrid and Organic Photovoltaics, 2024
DOI: 10.5281/ZENODO.14770384

Impedance spectroscopy of memristors: connecting hysteresis to the equivalent circuit characteristics

Auteurs: Bisquert, Juan
Publié dans: Proceedings of the Materials for Sustainable Development Conference (MATSUS Fall 24), 2024
DOI: 10.5281/ZENODO.13889075