Perovskite Spiking Neurons for Intelligent Networks

Projektinformationen

PeroSpiker

ID Finanzhilfevereinbarung: 101097688

DOI

10.3030/101097688

EK-Unterschriftsdatum 21 Juni 2023

Startdatum 1 Oktober 2023

Enddatum 30 September 2028

Finanziert unter

• European Research Council (ERC)

Gesamtkosten

€ 2 498 004,00

EU-Beitrag

€ 2 498 004,00

Koordiniert durch

UNIVERSITAT POLITECNICA DE VALENCIA
Spain

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Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (30)

Across disciplines of emerging neuromorphic systems: from neuroscience to physical chemistry of materials and devices ^*

Autoren: Michele Giugliano, Juan Bisquert, Jovana V Milić
Veröffentlicht in: Journal of Physics: Materials, Ausgabe 9, 2025, ISSN 2515-7639
Herausgeber: IOP Publishing
DOI: 10.1088/2515-7639/AE2A71

Switching Response in Organic Electrochemical Transistorsby Ionic Diffusion and Electronic Transport

Autoren: Juan Bisquert, Baurzhan Ilyassov, Nir Tessler
Veröffentlicht in: Advanced Science, Ausgabe 2404182, 2024, ISSN 2198-3844
Herausgeber: Wiley-VCH
DOI: 10.1002/ADVS.202404182

Recent advances in fluidic neuromorphic computing

Autoren: Cheryl Suwen Law, Juan Wang, Kornelius Nielsch, Andrew D. Abell, Juan Bisquert, Abel Santos
Veröffentlicht in: Applied Physics Reviews, Ausgabe 12, 2025, ISSN 1931-9401
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0235267

Time Transients with Inductive Loop Traces in Metal Halide Perovskites

Autoren: Enrique Hernández‐Balaguera; Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Advanced Functional Materials, 2023, ISSN 1616-301X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/ADFM.202308678

Bifurcation and oscillations in fluidic nanopores: A model neuron for liquid neuromorphic networks

Autoren: Alicia Cordero; Juan R. Torregrosa; Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Physical Review Research, Ausgabe 7, 2025, ISSN 2643-1564
Herausgeber: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/PHYSREVRESEARCH.7.013282

Relaxation Time of Multipore Nanofluidic Memristors for Neuromorphic Applications

Autoren: Gonzalo Rivera-Sierra, Patricio Ramirez, Juan Bisquert, Agustín Bou
Veröffentlicht in: Journal of the American Chemical Society, Ausgabe 147, 2025, ISSN 0002-7863
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/JACS.5C04903

Inductive and Capacitive Hysteresis of Current-Voltage Curves: Unified Structural Dynamics in Solar Energy Devices, Memristors, Ionic Transistors, and Bioelectronics.

Autoren: Juan Bisquert
Veröffentlicht in: PRX Energy, Ausgabe 3, 2024, ISSN 2768-5608
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/PRXEnergy.3.011001

Experimental demonstration of coupled differential oscillator networks for versatile applications

Autoren: Jiménez, Manuel; Núñez Martínez, Juan; Shamsi, Jafar; Linares Barranco, Bernabé; Avedillo de Juan, María José
Veröffentlicht in: Frontiers in Neuroscience, 2023, ISSN 1662-453X
Herausgeber: Frontiers Media S.A.
DOI: 10.3389/FNINS.2023.1294954

Hysteresis in Organic Electrochemical Transistors: Distinction of Capacitive and Inductive Effects

Autoren: Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Journal of Physical Chemistry Letters, Ausgabe 14, 49, 2023, ISSN 1948-7185
Herausgeber: American Chemical Society; American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c03062

Impedance spectroscopy of neurons, inductors and synapses: A path to understanding brain-like computation

Autoren: Jenifer Rubio-Magnieto, Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Current Opinion in Electrochemistry, Ausgabe 54, 2025, ISSN 2451-9103
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.COELEC.2025.101767

Hysteresis, Rectification, and Relaxation Times of Nanofluidic Pores for Neuromorphic Circuit Applications

Autoren: Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Advanced Physics Research, 2024, ISSN 2751-1200
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/APXR.202400029

Transient Charging of Mixed Ionic‐Electronic Conductors by Anomalous Diffusion

Autoren: Heyi Zhang, Gonzalo Rivera‐Sierra, Shirin Siahjani‐Gultekin, Jenifer Rubio‐Magnieto, Anis Allagui, Ignacio Sanjuán, David Franco, Antonio Guerrero, Enrique H. Balaguera, Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Advanced Materials, 2025, ISSN 0935-9648
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/ADMA.202507739

A one-transistor organic electrochemical self-sustained oscillator model for neuromorphic networks

Autoren: Juan Bisquert, Nir Tessler
Veröffentlicht in: Newton, 2025, ISSN 2950-6360
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.NEWTON.2025.100207

Organic Electrochemical Neurons: Nonlinear Tools for Complex Dynamics

Autoren: Gonzalo Rivera-Sierra, Roberto Fenollosa, Juan Bisquert
Veröffentlicht in: ACS Applied Electronic Materials, Ausgabe 7, 2025, ISSN 2637-6113
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACSAELM.5C01710

Hysteresis in memristors produces conduction inductance and conduction capacitance effects

Autoren: Bisquert, Juan; Roldán, Juan B.; Miranda, Enrique
Veröffentlicht in: Physical Chemistry Chemical Physics, 2024, ISSN 1463-9076
Herausgeber: Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/D4CP00586D

From pulses to plasticity: Analytical tools for memristive synapse design

Autoren: Gonzalo Rivera-Sierra, Juan Bisquert
Veröffentlicht in: APL Machine Learning, Ausgabe 3, 2025, ISSN 2770-9019
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0289570

Memristive InAs-Based Semiconductors with Anisotropic Ion Transport

Autoren: Taeyoung Kim, Jongbum Won, Jihong Bae, Giyeok Lee, Minwoo Lee, Sangjin Choi, Sungsoon Kim, Dongchul Seo, Youngjun Cho, Taehoon Kim, Bokyeong Kim, Hong Choi, Byung-Kyu Yu, Jaegyeom Kim, Soohyung Park, Jinwoo Cheon, Jong-Young Kim, Juan Bisquert, Aloysius S
Veröffentlicht in: Advanced Materials, Ausgabe 37, 2025, ISSN 0935-9648
Herausgeber: Wiley-VCH GmbH
DOI: 10.1002/ADMA.202500056

Synaptic Response of Fluidic Nanopores: The Connection of Potentiation with Hysteresis

Autoren: Juan Bisquert, Marc Sánchez-Mateu, Agustín Bou, Cheryl Suwen Law, and Abel Santos
Veröffentlicht in: ChemPhysChem, Ausgabe e202400265, 2024, ISSN 1439-4235
Herausgeber: Wiley-VCH GmbH, Weinheim
DOI: 10.1002/CPHC.202400265

Mapping of Internal Ionic/Electronic Transient Dynamics in Current–Voltage Operation of Perovskite Solar Cells

Autoren: Bisquert, Juan; Balaguera, Enrique H.
Veröffentlicht in: Small, Ausgabe 2409534, 2024, ISSN 1613-6829
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/SMLL.202409534

Bio-Inspired Spike-Timing-Dependent Plasticity Learning with Metal Halide Perovskites: Toward Artificial Synaptic Functionality

Autoren: Mostafa Shooshtari, So-Yeon Kim, Saeideh Pahlavan, Teresa Serrano-Gotarredona, Juan Bisquert, Bernabé Linares-Barranco
Veröffentlicht in: ACS Applied Materials & Interfaces, Ausgabe 18, 2026, ISSN 1944-8244
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACSAMI.5C21545

Gate-voltage-dependent ionic diffusion and transient dynamics in organic electrochemical transistors

Autoren: Heyi Zhang, Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Organic Electronics, Ausgabe 149, 2026, ISSN 1566-1199
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.ORGEL.2025.107367

First optimal vectorial eighth-order iterative scheme for solving non-linear systems

Autoren: Alicia Cordero, Juan R. Torregrosa, Paula Triguero-Navarro
Veröffentlicht in: Applied Mathematics and Computation, Ausgabe 498, 2025, ISSN 0096-3003
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.AMC.2025.129401

Hysteresis, Impedance, and Transients Effects in Halide Perovskite Solar Cells and Memory Devices Analysis by Neuron-Style Models

Autoren: Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Advanced Energy Materials, Ausgabe 2400442, 2024, ISSN 1614-6840
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/aenm.202400442

Synaptic Function in Memristor Devices for Neuromorphic Circuit Applications

Autoren: Juan Bisquert, Wooyoung Shim, So‐Yeon Kim, Bernabe Linares‐Barranco
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, Ausgabe 11, 2025, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.202400903

Accelerating the Assessment of Hysteresis in Perovskite Solar Cells

Autoren: Enrique H. Balaguera, Juan Bisquert
Veröffentlicht in: ACS Energy Lett., Ausgabe 9, 2024, ISSN 2380-8195
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsenergylett.3c02779

Advancing Logic Circuits With Halide Perovskite Memristors for Next‐Generation Digital Systems

Autoren: Mostafa Shooshtari, So‐Yeon Kim, Saeideh Pahlavan, Gonzalo Rivera‐Sierra, Manuel Jiménez Través, Teresa Serrano‐Gotarredona, Juan Bisquert, Bernabé Linares‐Barranco
Veröffentlicht in: SmartMat, Ausgabe 6, 2025, ISSN 2766-8525
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/SMM2.70032

Bifurcation and Frequency Properties of S-Type Neuronic Oscillators

Autoren: Juan Bisquert; Roberto Fenollosa; Alicia Cordero; Juan R. Torregrosa
Veröffentlicht in: The Journal of Physical Chemistry Letters, Ausgabe 16, 2025, ISSN 1948-7185
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.JPCLETT.5C00288

Introduction to neuromorphic functions of memristors: The inductive nature of synapse potentiation

Autoren: So-Yeon Kim, Heyi Zhang, Gonzalo Rivera-Sierra, Roberto Fenollosa, Jenifer Rubio-Magnieto, Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 137, 2025, ISSN 0021-8979
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0257462

Operating Mechanism Principles and Advancements for Halide Perovskite-Based Memristors and Neuromorphic Devices

Autoren: So-Yeon Kim, Heyi Zhang, Jenifer Rubio-Magnieto
Veröffentlicht in: The Journal of Physical Chemistry Letters, 2024, ISSN 1948-7185
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.JPCLETT.4C02170

Capacitive tuning of thyristor oscillators enables neuron-like signal amplification

Autoren: Si En Ng, Nripan Mathews, Roberto Fenollosa, Jenifer Rubio-Magnieto, Juan Bisquert
Veröffentlicht in: Physical Review Applied, Ausgabe 25, 2026, ISSN 2331-7019
Herausgeber: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/YHWD-T2WH

Thesis and dissertations (1)

Master's thesis: Characteristics and Operating Analysis of Halide Perovskites-based Memristor with Light Stimulation

Autoren: Hemant Agarwal
Veröffentlicht in: 2025
Herausgeber: Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) — Escola Tècnica d’Enginyeria de Telecomunicació de Barcelona (ETSETB)
DOI: 10.5281/ZENODO.17485071