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Mastering Electronic Doping in Tin-Halide Perovskites to Develop Near Infrared Light Emitting Diodes

Projektbeschreibung

Fortgeschrittene Nah-Infrarot-LED-Technologie

Nahinfrarot-Leuchtdioden (Nah-Infrarot-LEDs) sind für verschiedene alltägliche Anwendungen von entscheidender Bedeutung, stehen aber vor einer Hürde: Während sich die LEDs unterhalb von 800 nm verbessert haben, hinken die oberhalb von 800 nm aufgrund von Einschränkungen bei den Emittern hinterher. Zinn-Halogenid-Perowskite sind vielversprechend für Nah-Infrarot-LEDs, aber Probleme wie eine übermäßige p-Typ-Dotierung halten sie zurück. Das Ziel des über die Marie-Skłodowska-Curie-Maßnahmen unterstützten Projekts MaDLED lautet daher, diese Herausforderungen durch eine Steigerung der Ladungsträgerinjektion und der Rekombinationsleistung zu bewältigen. Unter der Leitung des Istituto Italiano di Tecnologia in Italien integriert MaDLED Werkstoffkunde und optoelektronische Spektroskopie, um die Nah-Infrarot-LED-Technologie im Einklang mit dem europäischen Grünen Deal voranzutreiben.

Ziel

As a key advancing technology, near-infrared light-emitting diodes (NIR-LEDs) cover nearly all aspects of our daily life due to their supported large applications, such as biomedical imaging, optical communication, security, and data storage. With extensive efforts, the efficiencies of LEDs have been improved by over 20% in the emission range below 800 nm. However, the development of NIR-LEDs over 800 nm is modest due to the fundamental limitation of emitters. Recently, tin-halide perovskites (THPs) have emerged as one of the most promising candidates for NIR-LED application. Through easy composition engineering, the emission of THPs can be readily tuned from 680 nm to 1000 nm. Meanwhile, the low-toxic Sn-based perovskites follow the requirements of the European Green Deal, which ask for reducing pollution to enhance the protection of human life, animals, and plants. However, the excessively high p-type doping in THPs, which reduce the carrier injection efficiency and radiative recombination efficiency, currently limits the development of THP-based NIR-LEDs. This project (MaDLED) will promote the development of NIR-LEDs by developing novel strategies to increase carrier injection and recombination efficiency. The results of this project will advance the knowledge about NIR emissive semiconductors, and be of value in other fields, such as solar cells, detects, transistors, etc. This will be achieved by integrating deep knowledge of materials science with expertise in advanced optical-electronic spectroscopies in the host (Istituto Italiano di Tecnologia, Italy). Besides, a secondment (Helio Display Materials, United Kingdom) is planned to define a suitable route to industrialization. After training in this project, I will have an increased set of research and transferable skills and competencies, which is critical to enhancing my employability and career prospects.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Finanzierungsplan

HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF -

Koordinator

FONDAZIONE ISTITUTO ITALIANO DI TECNOLOGIA
Netto-EU-Beitrag
€ 188 590,08
Adresse
VIA MOREGO 30
16163 Genova
Italien

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Region
Nord-Ovest Liguria Genova
Aktivitätstyp
Forschungseinrichtungen
Links
Gesamtkosten
Keine Daten

Partner (1)