Smart Sensor Analog Front-End powered by Emerging Reconfigurable Devices

Información del proyecto

SENSOTERIC

Identificador del acuerdo de subvención: 101135316

DOI

10.3030/101135316

Fecha de la firma de la CE 26 Octubre 2023

Fecha de inicio 1 Enero 2024

Fecha de finalización 31 Diciembre 2027

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 3 913 573,75

Aportación de la UE

€ 3 913 553,75

Coordinado por

NAMLAB GGMBH
Germany

CORDIS proporciona enlaces a los documentos públicos y las publicaciones de los proyectos de los programas marco HORIZONTE.

Los enlaces a los documentos y las publicaciones de los proyectos del Séptimo Programa Marco, así como los enlaces a algunos tipos de resultados específicos, como conjuntos de datos y «software», se obtienen dinámicamente de OpenAIRE .

Resultado final

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Plan for conserving the data during the project and after the project end

Documents, reports (6)

RFET device characterization V1

Report on dc-IV characteristics for RFET devices

Plan for dissemination and communication actions
RFET Circuit Elements exploiting Inherent Higher Functionality

These circuits exploit the ambipolar and tuneable nature to provide a dedicated function.

Project Handbook

Describes the project organization and internal procedures

RFET Compact model with improved Schottky barrier modeling – V1

First working compact model validated for undoped RFETs with control and polarity gates incorporating thermionic and field-emission currents for Schottky barrier modeling

NDR RFET, Report on fabrication and electrical characterization

Report on fabrication and electrical characteristics of NDR RFETs and definition of design space

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Project website and social media accounts

Website with visual idendity and social media accounts set up

Publicaciones

Peer reviewed articles (6)

Roadmap for Schottky barrier transistors

Autores: Eva Bestelink, Giulio Galderisi, Patryk Golec, Yi Han, Benjamin Iniguez, Alexander Kloes, Joachim Knoch, Hiroyuki Matsui, Thomas Mikolajick, Kham M Niang, Benjamin Richstein, Mike Schwarz, Masiar Sistani, Radu A Sporea, Jens Trommer, Walter M Weber, Qing-Tai Zhao, Laurie E Calvet
Publicado en: Nano Futures, Edición 8, 2024, ISSN 2399-1984
Editor: IOP Publishing
DOI: 10.1088/2399-1984/AD92D1

A Reconfigurable Ge Transistor Functionally Diversified by Negative Differential Resistance

Autores: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Alexandra Dobler, Johannes Aberl, Enrique Prado Navarrete, Moritz Brehm, Lilian Vogl, Peter Schweizer, Sebastian Lellig, Xavier Maeder, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Publicado en: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Edición 12, 2024, ISSN 2168-6734
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2024.3432971

Temperature-dependent electronic transport in reconfigurable transistors based on Ge on SOI and strained SOI platforms

Autores: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Johannes Aberl, Enrique Prado Navarrete, Moritz Brehm, Jean-Michel Hartmann, Frank Fournel, Lilian Vogl, Peter Schweizer, Andrew M. Minor, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Publicado en: Solid-State Electronics, Edición 226, 2025, ISSN 0038-1101
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2024.109055

Implementation of Negative Differential Resistance-Based Circuits in Multigate Ge Transistors

Autores: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Enrique Prado Navarrete, Johannes Aberl, Moritz Brehm, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Publicado en: IEEE Transactions on Electron Devices, Edición 71, 2024, ISSN 0018-9383
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3485600

Reconfigurable Ge Transistors Enabling Adaptive Differential Amplifiers

Autores: Andreas Fuchsberger, Alexandra Dobler, Lukas Wind, Andreas Kramer, Julian Kulenkampff, Maximilian Reuter, Daniele Nazzari, Giulio Galderisi, Enrique Prado Navarrete, Johannes Aberl, Moritz Brehm, Thomas Mikolajick, Jens Trommer, Klaus Hofmann, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Publicado en: IEEE Transactions on Electron Devices, Edición 72, 2025, ISSN 0018-9383
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3559912

Electrostatic Gating in Ge-Based Reconfigurable Field-Effect Transistors

Autores: A. Fuchsberger, A. Verdianu, L. Wind, D. Nazzari, Enrique Prado Navarrete, C. Wilfingseder, J. Aberl, M. Brehm, J-M. Hartmann, M. Sistani, W. M. Weber
Publicado en: IEEE Transactions on Electron Devices, Edición 72, 2025, ISSN 0018-9383
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3545802