Smart Sensor Analog Front-End powered by Emerging Reconfigurable Devices

Projektinformationen

SENSOTERIC

ID Finanzhilfevereinbarung: 101135316

DOI

10.3030/101135316

EK-Unterschriftsdatum 26 Oktober 2023

Startdatum 1 Januar 2024

Enddatum 31 Dezember 2027

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 3 913 573,75

EU-Beitrag

€ 3 913 553,75

Koordiniert durch

NAMLAB GGMBH
Germany

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Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (6)

Roadmap for Schottky barrier transistors

Autoren: Eva Bestelink, Giulio Galderisi, Patryk Golec, Yi Han, Benjamin Iniguez, Alexander Kloes, Joachim Knoch, Hiroyuki Matsui, Thomas Mikolajick, Kham M Niang, Benjamin Richstein, Mike Schwarz, Masiar Sistani, Radu A Sporea, Jens Trommer, Walter M Weber, Qing-Tai Zhao, Laurie E Calvet
Veröffentlicht in: Nano Futures, Ausgabe 8, 2024, ISSN 2399-1984
Herausgeber: IOP Publishing
DOI: 10.1088/2399-1984/AD92D1

A Reconfigurable Ge Transistor Functionally Diversified by Negative Differential Resistance

Autoren: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Alexandra Dobler, Johannes Aberl, Enrique Prado Navarrete, Moritz Brehm, Lilian Vogl, Peter Schweizer, Sebastian Lellig, Xavier Maeder, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Veröffentlicht in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Ausgabe 12, 2024, ISSN 2168-6734
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2024.3432971

Temperature-dependent electronic transport in reconfigurable transistors based on Ge on SOI and strained SOI platforms

Autoren: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Johannes Aberl, Enrique Prado Navarrete, Moritz Brehm, Jean-Michel Hartmann, Frank Fournel, Lilian Vogl, Peter Schweizer, Andrew M. Minor, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 226, 2025, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2024.109055

Implementation of Negative Differential Resistance-Based Circuits in Multigate Ge Transistors

Autoren: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Enrique Prado Navarrete, Johannes Aberl, Moritz Brehm, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 71, 2024, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3485600

Reconfigurable Ge Transistors Enabling Adaptive Differential Amplifiers

Autoren: Andreas Fuchsberger, Alexandra Dobler, Lukas Wind, Andreas Kramer, Julian Kulenkampff, Maximilian Reuter, Daniele Nazzari, Giulio Galderisi, Enrique Prado Navarrete, Johannes Aberl, Moritz Brehm, Thomas Mikolajick, Jens Trommer, Klaus Hofmann, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 72, 2025, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3559912

Electrostatic Gating in Ge-Based Reconfigurable Field-Effect Transistors

Autoren: A. Fuchsberger, A. Verdianu, L. Wind, D. Nazzari, Enrique Prado Navarrete, C. Wilfingseder, J. Aberl, M. Brehm, J-M. Hartmann, M. Sistani, W. M. Weber
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 72, 2025, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3545802