Smart Sensor Analog Front-End powered by Emerging Reconfigurable Devices

Informations projet

SENSOTERIC

N° de convention de subvention: 101135316

DOI

10.3030/101135316

Date de signature de la CE 26 Octobre 2023

Date de début 1 Janvier 2024

Date de fin 31 Decembre 2027

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 3 913 573,75

Contribution de l’UE

€ 3 913 553,75

Coordonné par

NAMLAB GGMBH
Germany

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Publications

Peer reviewed articles (6)

Roadmap for Schottky barrier transistors

Auteurs: Eva Bestelink, Giulio Galderisi, Patryk Golec, Yi Han, Benjamin Iniguez, Alexander Kloes, Joachim Knoch, Hiroyuki Matsui, Thomas Mikolajick, Kham M Niang, Benjamin Richstein, Mike Schwarz, Masiar Sistani, Radu A Sporea, Jens Trommer, Walter M Weber, Qing-Tai Zhao, Laurie E Calvet
Publié dans: Nano Futures, Numéro 8, 2024, ISSN 2399-1984
Éditeur: IOP Publishing
DOI: 10.1088/2399-1984/AD92D1

A Reconfigurable Ge Transistor Functionally Diversified by Negative Differential Resistance

Auteurs: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Alexandra Dobler, Johannes Aberl, Enrique Prado Navarrete, Moritz Brehm, Lilian Vogl, Peter Schweizer, Sebastian Lellig, Xavier Maeder, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Publié dans: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numéro 12, 2024, ISSN 2168-6734
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2024.3432971

Temperature-dependent electronic transport in reconfigurable transistors based on Ge on SOI and strained SOI platforms

Auteurs: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Johannes Aberl, Enrique Prado Navarrete, Moritz Brehm, Jean-Michel Hartmann, Frank Fournel, Lilian Vogl, Peter Schweizer, Andrew M. Minor, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro 226, 2025, ISSN 0038-1101
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2024.109055

Implementation of Negative Differential Resistance-Based Circuits in Multigate Ge Transistors

Auteurs: Andreas Fuchsberger, Lukas Wind, Daniele Nazzari, Enrique Prado Navarrete, Johannes Aberl, Moritz Brehm, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 71, 2024, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3485600

Reconfigurable Ge Transistors Enabling Adaptive Differential Amplifiers

Auteurs: Andreas Fuchsberger, Alexandra Dobler, Lukas Wind, Andreas Kramer, Julian Kulenkampff, Maximilian Reuter, Daniele Nazzari, Giulio Galderisi, Enrique Prado Navarrete, Johannes Aberl, Moritz Brehm, Thomas Mikolajick, Jens Trommer, Klaus Hofmann, Masiar Sistani, Walter M. Weber
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 72, 2025, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3559912

Electrostatic Gating in Ge-Based Reconfigurable Field-Effect Transistors

Auteurs: A. Fuchsberger, A. Verdianu, L. Wind, D. Nazzari, Enrique Prado Navarrete, C. Wilfingseder, J. Aberl, M. Brehm, J-M. Hartmann, M. Sistani, W. M. Weber
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 72, 2025, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3545802