Advanced Research on Cryogenic Technologies for Innovative Computing

Información del proyecto

ARCTIC

Identificador del acuerdo de subvención: 101139908

DOI

10.3030/101139908

Fecha de la firma de la CE 11 Junio 2024

Fecha de inicio 1 Abril 2024

Fecha de finalización 31 Marzo 2027

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 34 604 389,70

Aportación de la UE

€ 11 267 698,98

Coordinado por

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Belgium

CORDIS proporciona enlaces a los documentos públicos y las publicaciones de los proyectos de los programas marco HORIZONTE.

Los enlaces a los documentos y las publicaciones de los proyectos del Séptimo Programa Marco, así como los enlaces a algunos tipos de resultados específicos, como conjuntos de datos y «software», se obtienen dinámicamente de OpenAIRE .

Resultado final

Documents, reports (1)

Transceiver specifications and feasibility study

Report on the transceiver’s requirements, and feasibility report on the design of awireless transceiver vs a wireline link. (Task 3.4)

Publicaciones

Peer reviewed articles (6)

A Physical TCAD Mobility Model of Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) Devices with Spatially Varying Mobility Edges, Band-Tails, and Enhanced Low-Temperature Convergence

Autores: Mischa Thesberg, Franz Schanovsky, Ying Zhao, Markus Karner, Jose Maria Gonzalez-Medina, Zlatan Stanojević, Adrian Chasin, Gerhard Rzepa
Publicado en: Micromachines, Edición 15, 2024, ISSN 2072-666X
Editor: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI15070829

Harnessing ferroic ordering in thin film devices for analog memory and neuromorphic computing applications down to deep cryogenic temperatures

Autores: Sayani Majumdar
Publicado en: Frontiers in Nanotechnology, 2024, ISSN 2673-3013
Editor: Frontiers
DOI: 10.3389/FNANO.2024.1371386

Understanding fatigue and recovery mechanisms in Hf_0.5Zr_0.5O₂ capacitors for designing high endurance ferroelectric memory and neuromorphic hardware

Autores: Xinye Li; Padma Srivari; Ella Paasio; Sayani Majumdar
Publicado en: Nanoscale, 2025, ISSN 2040-3372
Editor: Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/D4NR04861J

Can ferroelectric tunnel junction be a game changer as eNVM and in neuromorphic hardware?

Autores: Sayani Majumdar
Publicado en: APL Machine Learning, Edición 3, 2025, ISSN 2770-9019
Editor: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0252822

Understanding the Transistor Behavior of Electron-Spin Qubits Above Cryogenic Temperatures

Autores: Francesco Lorenzelli, Clement Godfrin, Michele Stucchi, Alexander Grill, Ruoyu Li, Danny Wan, Kristiaan De Greve, Erik Jan Marinissen, Georges Gielen
Publicado en: IEEE Electron Device Letters, Edición 45, 2024, ISSN 1558-0563
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/LED.2024.3463009

A Physics‐Based Compact Model for Ferroelectric Capacitors Operating Down to Deep Cryogenic Temperatures for Applications in Analog Memory and Neuromorphic Architectures

Autores: Ella Paasio, Rikhard Ranta, Sayani Majumdar
Publicado en: Advanced Electronic Materials, 2025, ISSN 2199-160X
Editor: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.202400840

Conference proceedings (2)

Next Generation of Thermo-Compression Bonding Equipment

Autores: Jonathan Abdilla, Martin Kainz, Benedikt Pressl, Mario Fraubaum, Chris Scanlan
Publicado en: 2024 IEEE 26th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), 2025
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/EPTC62800.2024.10909759

An Experimentally Validated TCAD Variability Study of the Relative Performance of In-Ga-Zn-O and Poly-Si-Channel Ferroelectric VNANDs

Autores: M. Thesberg, Z. Stanojević, F. Schanovsky, J.M. Gonzalez-Medina, G. Rzepa, F. Mitterbauer, O. Baumgartner, M. Karner
Publicado en: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024, ISSN 2156-017X
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873461