Advanced Research on Cryogenic Technologies for Innovative Computing

Projektinformationen

ARCTIC

ID Finanzhilfevereinbarung: 101139908

DOI

10.3030/101139908

EK-Unterschriftsdatum 11 Juni 2024

Startdatum 1 April 2024

Enddatum 31 März 2027

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 34 604 389,70

EU-Beitrag

€ 11 267 698,98

Koordiniert durch

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Belgium

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Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (6)

A Physical TCAD Mobility Model of Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) Devices with Spatially Varying Mobility Edges, Band-Tails, and Enhanced Low-Temperature Convergence

Autoren: Mischa Thesberg, Franz Schanovsky, Ying Zhao, Markus Karner, Jose Maria Gonzalez-Medina, Zlatan Stanojević, Adrian Chasin, Gerhard Rzepa
Veröffentlicht in: Micromachines, Ausgabe 15, 2024, ISSN 2072-666X
Herausgeber: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI15070829

Harnessing ferroic ordering in thin film devices for analog memory and neuromorphic computing applications down to deep cryogenic temperatures

Autoren: Sayani Majumdar
Veröffentlicht in: Frontiers in Nanotechnology, 2024, ISSN 2673-3013
Herausgeber: Frontiers
DOI: 10.3389/FNANO.2024.1371386

Understanding fatigue and recovery mechanisms in Hf_0.5Zr_0.5O₂ capacitors for designing high endurance ferroelectric memory and neuromorphic hardware

Autoren: Xinye Li; Padma Srivari; Ella Paasio; Sayani Majumdar
Veröffentlicht in: Nanoscale, 2025, ISSN 2040-3372
Herausgeber: Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/D4NR04861J

Can ferroelectric tunnel junction be a game changer as eNVM and in neuromorphic hardware?

Autoren: Sayani Majumdar
Veröffentlicht in: APL Machine Learning, Ausgabe 3, 2025, ISSN 2770-9019
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0252822

Understanding the Transistor Behavior of Electron-Spin Qubits Above Cryogenic Temperatures

Autoren: Francesco Lorenzelli, Clement Godfrin, Michele Stucchi, Alexander Grill, Ruoyu Li, Danny Wan, Kristiaan De Greve, Erik Jan Marinissen, Georges Gielen
Veröffentlicht in: IEEE Electron Device Letters, Ausgabe 45, 2024, ISSN 1558-0563
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/LED.2024.3463009

A Physics‐Based Compact Model for Ferroelectric Capacitors Operating Down to Deep Cryogenic Temperatures for Applications in Analog Memory and Neuromorphic Architectures

Autoren: Ella Paasio, Rikhard Ranta, Sayani Majumdar
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, 2025, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.202400840

Conference proceedings (2)

Next Generation of Thermo-Compression Bonding Equipment

Autoren: Jonathan Abdilla, Martin Kainz, Benedikt Pressl, Mario Fraubaum, Chris Scanlan
Veröffentlicht in: 2024 IEEE 26th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/EPTC62800.2024.10909759

An Experimentally Validated TCAD Variability Study of the Relative Performance of In-Ga-Zn-O and Poly-Si-Channel Ferroelectric VNANDs

Autoren: M. Thesberg, Z. Stanojević, F. Schanovsky, J.M. Gonzalez-Medina, G. Rzepa, F. Mitterbauer, O. Baumgartner, M. Karner
Veröffentlicht in: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024, ISSN 2156-017X
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873461