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Bringing epigraphene nanoelectronics to life

Descrizione del progetto

Un nuovo materiale bidimensionale si dimostra promettente per i transistor ad alta velocità e bassa potenza

L’epigrafene è un materiale bidimensionale che potrebbe costituire un’alternativa al silicio nelle apparecchiature elettroniche: esso rende possibili dispositivi più veloci, più piccoli e più efficienti dal punto di vista energetico, in quanto presenta proprietà come la coerenza quantistica. Recentemente, i ricercatori hanno dimostrato che l’epigrafene cresciuto sul carburo di silicio è un semiconduttore bidimensionale da record, compatibile con i metodi di produzione convenzionali. Con il sostegno del programma di azioni Marie Skłodowska-Curie, il progetto EpigraFET si propone di sviluppare transistor avanzati che, mediante l’utilizzo dell’epigrafene semiconduttore, potrebbero risultare più veloci. Il team di ricerca ottimizzerà il materiale e integrerà nanonastri progettati per migliorare il trasporto degli elettroni, esplorando inoltre le proprietà quantistiche potenzialmente messe in mostra dall’epigrafene semiconduttore quando viene integrato in dispositivi avanzati. La ricerca proposta potrebbe potenziare notevolmente l’elettronica, facendo compiere un passo in avanti verso l’informatica quantistica pratica.

Obiettivo

Two decades ago, epigraphene (EG) nanoelectronics was proposed at Georgia Tech as a successor of silicon because this 2D material can exploit currently unutilized properties of charge carriers, like quantum coherence and the electronic spin, to realize faster, smaller and more energy efficient devices than is possible with silicon. In a recent breakthrough paper EG grown on a silicon carbide was shown to be a record breaking 2D semiconductor that is uniquely compatible with conventional nanoelectronics production methods. Working with the pioneers of EG, my research project proposes to demonstrate low power semiconducting epigraphene (SEG) tunnelling field effect transistors (TFET), with record breaking speeds. At GT I will grow chip-scale SEG, fabricate and optimise conventional SEG FETs, followed with development of prototype TFETs devices. SEG will be interconnected with epigraphene nanoribbons that have extraordinary ballistic transport properties of which the physics is still not well understood.
This knowledge will then be transferred to Grenoble where electronic spin and quantum coherence properties will be demonstrated in intercalated heterostructures that can be incorporated in advanced SEG devices. These properties, including edge state properties will be investigated using a variety of transport and local probe techniques to provide a solid foundation for SEG nanoelectronics.
This proposal has a critical scientific impact especially in elucidating the nature of the graphene edge state with quantum coherent properties easily assessable cryogenic temperatures (≈10K) and 10 micron device length scales that are relevant for practical quantum computing. The development of epigraphene nanoelectronics will revolutionize electronics, and as was successfully argued in the 1B€ European Graphene Flagship program, it will have a huge societal and economic impact for Europe. It will stimulate a worldwide SEG effort and put me at the forefront of this emerging field.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Parole chiave

Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

HORIZON-TMA-MSCA-PF-GF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - Global Fellowships

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) HORIZON-MSCA-2024-PF-01

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 413 379,72
Indirizzo
AVENUE FELIX VIALLET 46
38031 GRENOBLE CEDEX 1
Francia

Mostra sulla mappa

Tipo di attività
Higher or Secondary Education Establishments
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

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