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Bringing epigraphene nanoelectronics to life

Descrizione del progetto

Un nuovo materiale bidimensionale si dimostra promettente per i transistor ad alta velocità e bassa potenza

L’epigrafene è un materiale bidimensionale che potrebbe costituire un’alternativa al silicio nelle apparecchiature elettroniche: esso rende possibili dispositivi più veloci, più piccoli e più efficienti dal punto di vista energetico, in quanto presenta proprietà come la coerenza quantistica. Recentemente, i ricercatori hanno dimostrato che l’epigrafene cresciuto sul carburo di silicio è un semiconduttore bidimensionale da record, compatibile con i metodi di produzione convenzionali. Con il sostegno del programma di azioni Marie Skłodowska-Curie, il progetto EpigraFET si propone di sviluppare transistor avanzati che, mediante l’utilizzo dell’epigrafene semiconduttore, potrebbero risultare più veloci. Il team di ricerca ottimizzerà il materiale e integrerà nanonastri progettati per migliorare il trasporto degli elettroni, esplorando inoltre le proprietà quantistiche potenzialmente messe in mostra dall’epigrafene semiconduttore quando viene integrato in dispositivi avanzati. La ricerca proposta potrebbe potenziare notevolmente l’elettronica, facendo compiere un passo in avanti verso l’informatica quantistica pratica.

Obiettivo

Two decades ago, epigraphene (EG) nanoelectronics was proposed at Georgia Tech as a successor of silicon because this 2D material can exploit currently unutilized properties of charge carriers, like quantum coherence and the electronic spin, to realize faster, smaller and more energy efficient devices than is possible with silicon. In a recent breakthrough paper EG grown on a silicon carbide was shown to be a record breaking 2D semiconductor that is uniquely compatible with conventional nanoelectronics production methods. Working with the pioneers of EG, my research project proposes to demonstrate low power semiconducting epigraphene (SEG) tunnelling field effect transistors (TFET), with record breaking speeds. At GT I will grow chip-scale SEG, fabricate and optimise conventional SEG FETs, followed with development of prototype TFETs devices. SEG will be interconnected with epigraphene nanoribbons that have extraordinary ballistic transport properties of which the physics is still not well understood.
This knowledge will then be transferred to Grenoble where electronic spin and quantum coherence properties will be demonstrated in intercalated heterostructures that can be incorporated in advanced SEG devices. These properties, including edge state properties will be investigated using a variety of transport and local probe techniques to provide a solid foundation for SEG nanoelectronics.
This proposal has a critical scientific impact especially in elucidating the nature of the graphene edge state with quantum coherent properties easily assessable cryogenic temperatures (≈10K) and 10 micron device length scales that are relevant for practical quantum computing. The development of epigraphene nanoelectronics will revolutionize electronics, and as was successfully argued in the 1B€ European Graphene Flagship program, it will have a huge societal and economic impact for Europe. It will stimulate a worldwide SEG effort and put me at the forefront of this emerging field.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

Parole chiave

Programma(i)

Argomento(i)

Meccanismo di finanziamento

HORIZON-TMA-MSCA-PF-GF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - Global Fellowships

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Invito a presentare proposte

(si apre in una nuova finestra) HORIZON-MSCA-2024-PF-01

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Coordinatore

INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
Contributo netto dell'UE
€ 413 379,72
Indirizzo
AVENUE FELIX VIALLET 46
38031 GRENOBLE CEDEX 1
Francia
Regione
Ile-de-France Ile-de-France Paris
Tipo di attività
Higher or Secondary Education Establishments
Collegamenti
Costo totale
Nessun dato

Partner (2)