Skip to main content
Vai all'homepage della Commissione europea (si apre in una nuova finestra)
italiano it
CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
CORDIS

Silicon Through holes by Accumulative interplaY of 2 Micron short pulsEs

Descrizione del progetto

Forare un nuovo percorso per i chip di silicio 3D

La moderna elettronica ad alte prestazioni dipende da microscopici fili verticali che collegano strati di chip impilati. Tuttavia, queste vie passanti per il silicio (TSV) sono diventate un grosso ostacolo per la produzione. Attualmente l’industria si affida a metodi di perforazione lenti e ad alta intensità chimica, limitando di fatto la possibilità di miniaturizzare ulteriormente l’hardware. STAY2ME, finanziato dal CEI, intende portare la fabbricazione di chip nell’era contactless. In particolare, utilizza impulsi laser ultracorti per scavare queste connessioni critiche. Questo approccio basato sul laser gestisce l’accumulo di energia in modo così preciso da consentire una perforazione più profonda e più stretta che mai, eliminando al contempo la necessità di utilizzare prodotti chimici aggressivi. Eliminando questi limiti di produzione, STAY2ME apre la strada alla prossima generazione di sensori 3D e di chip IA ad alte prestazioni.

Obiettivo

At a time when digitalization is omnipresent in our daily lives and silicon-based devices remain a key factor, the demand for high-density interconnections and increasingly compact, reliable electronics is essential for the continued advancement of semiconductor technologies. Through-Silicon Vias (TSV), the vertical interconnects that make true 3D integration possible in CMOS chips, MEMS sensors, and AI hardware play a key role. The STAY2ME project lays the foundation for a radical shift in how silicon structures that drive tomorrow’s technologies can be shaped and connected. Our radically innovative laser-based technology enables non-contact, chemicals-free, high-aspect-ratio micro-drilling within silicon, delivering unprecedented precision without detrimental side-effects in the surrounding material. This will be a game-changer for fabricating TSV. At the core of this innovation is a mJ-energy class laser operating at 2 micrometers in the novel GHz-burst regime, where a rapid train of pulses is delivered in ultrashort bursts. This laser combines the right wavelength with the right pulse dynamics, achieving nonlinear absorption and how energy accumulates in silicon-thus avoiding the laser beam distortion and chaotic energy deposition that plague existing methods. It could outperform the precision, speed and sustainability of Deep Reactive Ion Etching, today’s state-of-the-art for TSVs, and transforms what was once a materials limitation into a design revolution. Understanding and controlling how such a laser interacts with silicon is a breakthrough, opening a fundamentally new regime of laser-based silicon processing which offers unprecedented control over the drilling process. One of the unique strengths of this project lies in its interdisciplinary consortium, bringing together specialists from physics, chemistry, electrical and mechanical engineering, and thus, covering all facets and know-how to successfully carry out the STAY2ME project.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

Parole chiave

Programma(i)

Argomento(i)

Meccanismo di finanziamento

HORIZON-EIC - HORIZON EIC Grants

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

(si apre in una nuova finestra) HORIZON-EIC-2025-PATHFINDEROPEN

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
Contributo netto dell'UE
€ 529 332,50
Indirizzo
RUE MICHEL ANGE 3
75794 Paris
Francia
Regione
Ile-de-France Ile-de-France Paris
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale
€ 715 062,50

Partecipanti (6)