Objetivo
The recently developed methods of semiconductor crystal growth (MBE, MOCVD) have opened an era of new semiconductor devices which incorporate the principles of quantum mechanics in their design and operation. The objective of this project was to provide new knowledge in this area by investigating new concepts in the promising field of quantum semiconductor devices, both experimentally and theoretically. The main efforts were devoted to one- and two-dimensional device operations and to perpendicular transport through multilayers. .
The recently developed methods of semiconductor crystal growth (molecular beam epitaxy (MBE), metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)) have opened an era of new semiconductor devices which incorporate the principles of quantum mechanics in their design and operation. The objective of this project was to provide new knowledge in this area by investigating new concepts in the promising field of quantum semiconductor devices, both experimentally and theoretically.
Among the results obtained were:
2-dimensional electron gas and multiquantum wells in the gallium indium phosphide/gallium arsenide system; demonstration of the 2-dimensional hole gas in gallium indium arsenide/indium phosphide;
room temperature demonstration of a superlattice tunnel oscillator;
demonstration of ballistic motion of hot electrons injected from graded gap heterojunctions;
highest reported electron density in a planar doped gallium arsenide structure;
first observation of simultaneous electrical and optical bistability in a semiconductor multilayers structure;
first observation of the quantum Hall effect at the gallium indium, arsenic phosphide/indium phosphide heterojunction;
observation of extremely low dark currents in graded parameter superlattices;
lasing in the gallium indium arsenide/indium phosphide system.
The theorectical work achieved the following:
theory of high field transport in superlattices for the design of novel structures;
theory of graded parameter superlattice structures giving rise to new design rules for photodiodes;
detailed band structure calculations, giving new insights with device implications;
simulation of delta doped gallium arsenide structures allowing both electron states and transport.
Among the results obtained were:
-twodimensional electron gas and multi-quantum wells in the GaInP/GaAs system
-demonstration of the two-dimensional hole gas in GaInAs/InP
-room-temperature demonstration of a superlattice tunnel oscillator
-demonstration of ballistic motion of hot electrons injected from graded-gap heterojunctions
-highest reported electron density in a planardoped GaAs structure
-first observation of simultaneous electrical and optical bistability in a semiconductor multilayer structure
-first observation of the Quantum Hall effect at the GaInAsP/InP heterojunction
-observation of extremely low dark currents in graded parameter superlattices
-lasing in the GaInAs/InP system.
The theoretical work achieved the following:
-theory of high field transport in superlattices for the design of novel structures
-theory of graded parameter superlattice structures giving rise to new design rules for photodiodes
-detailed bandstructure calculations, giving new insights with device implications
-simulation of delta doped GaAs structures allowing both electron states and transport.
The project has generated 85scientific papers and some of the results listed have been fed into other ESPRIT projects(522, 843, 971) on IIIVdevices.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ingeniería y tecnología ingeniería de materiales cristales
- ciencias naturales ciencias físicas física cuántica
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de postransición
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica dispositivo semiconductor
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Datos no disponibles
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Datos no disponibles
Coordinador
WD6 1RX Borehamwood
Reino Unido
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.