Cel
The recently developed methods of semiconductor crystal growth (MBE, MOCVD) have opened an era of new semiconductor devices which incorporate the principles of quantum mechanics in their design and operation. The objective of this project was to provide new knowledge in this area by investigating new concepts in the promising field of quantum semiconductor devices, both experimentally and theoretically. The main efforts were devoted to one- and two-dimensional device operations and to perpendicular transport through multilayers. .
The recently developed methods of semiconductor crystal growth (molecular beam epitaxy (MBE), metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)) have opened an era of new semiconductor devices which incorporate the principles of quantum mechanics in their design and operation. The objective of this project was to provide new knowledge in this area by investigating new concepts in the promising field of quantum semiconductor devices, both experimentally and theoretically.
Among the results obtained were:
2-dimensional electron gas and multiquantum wells in the gallium indium phosphide/gallium arsenide system; demonstration of the 2-dimensional hole gas in gallium indium arsenide/indium phosphide;
room temperature demonstration of a superlattice tunnel oscillator;
demonstration of ballistic motion of hot electrons injected from graded gap heterojunctions;
highest reported electron density in a planar doped gallium arsenide structure;
first observation of simultaneous electrical and optical bistability in a semiconductor multilayers structure;
first observation of the quantum Hall effect at the gallium indium, arsenic phosphide/indium phosphide heterojunction;
observation of extremely low dark currents in graded parameter superlattices;
lasing in the gallium indium arsenide/indium phosphide system.
The theorectical work achieved the following:
theory of high field transport in superlattices for the design of novel structures;
theory of graded parameter superlattice structures giving rise to new design rules for photodiodes;
detailed band structure calculations, giving new insights with device implications;
simulation of delta doped gallium arsenide structures allowing both electron states and transport.
Among the results obtained were:
-twodimensional electron gas and multi-quantum wells in the GaInP/GaAs system
-demonstration of the two-dimensional hole gas in GaInAs/InP
-room-temperature demonstration of a superlattice tunnel oscillator
-demonstration of ballistic motion of hot electrons injected from graded-gap heterojunctions
-highest reported electron density in a planardoped GaAs structure
-first observation of simultaneous electrical and optical bistability in a semiconductor multilayer structure
-first observation of the Quantum Hall effect at the GaInAsP/InP heterojunction
-observation of extremely low dark currents in graded parameter superlattices
-lasing in the GaInAs/InP system.
The theoretical work achieved the following:
-theory of high field transport in superlattices for the design of novel structures
-theory of graded parameter superlattice structures giving rise to new design rules for photodiodes
-detailed bandstructure calculations, giving new insights with device implications
-simulation of delta doped GaAs structures allowing both electron states and transport.
The project has generated 85scientific papers and some of the results listed have been fed into other ESPRIT projects(522, 843, 971) on IIIVdevices.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- inżynieria i technologia inżynieria materiałowa kryształy
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne fizyka kwantowa
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metale nieszlachetne
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Brak dostępnych danych
Koordynator
WD6 1RX Borehamwood
Zjednoczone Królestwo
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.