Objectif
The recently developed methods of semiconductor crystal growth (MBE, MOCVD) have opened an era of new semiconductor devices which incorporate the principles of quantum mechanics in their design and operation. The objective of this project was to provide new knowledge in this area by investigating new concepts in the promising field of quantum semiconductor devices, both experimentally and theoretically. The main efforts were devoted to one- and two-dimensional device operations and to perpendicular transport through multilayers. .
The recently developed methods of semiconductor crystal growth (molecular beam epitaxy (MBE), metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)) have opened an era of new semiconductor devices which incorporate the principles of quantum mechanics in their design and operation. The objective of this project was to provide new knowledge in this area by investigating new concepts in the promising field of quantum semiconductor devices, both experimentally and theoretically.
Among the results obtained were:
2-dimensional electron gas and multiquantum wells in the gallium indium phosphide/gallium arsenide system; demonstration of the 2-dimensional hole gas in gallium indium arsenide/indium phosphide;
room temperature demonstration of a superlattice tunnel oscillator;
demonstration of ballistic motion of hot electrons injected from graded gap heterojunctions;
highest reported electron density in a planar doped gallium arsenide structure;
first observation of simultaneous electrical and optical bistability in a semiconductor multilayers structure;
first observation of the quantum Hall effect at the gallium indium, arsenic phosphide/indium phosphide heterojunction;
observation of extremely low dark currents in graded parameter superlattices;
lasing in the gallium indium arsenide/indium phosphide system.
The theorectical work achieved the following:
theory of high field transport in superlattices for the design of novel structures;
theory of graded parameter superlattice structures giving rise to new design rules for photodiodes;
detailed band structure calculations, giving new insights with device implications;
simulation of delta doped gallium arsenide structures allowing both electron states and transport.
Among the results obtained were:
-twodimensional electron gas and multi-quantum wells in the GaInP/GaAs system
-demonstration of the two-dimensional hole gas in GaInAs/InP
-room-temperature demonstration of a superlattice tunnel oscillator
-demonstration of ballistic motion of hot electrons injected from graded-gap heterojunctions
-highest reported electron density in a planardoped GaAs structure
-first observation of simultaneous electrical and optical bistability in a semiconductor multilayer structure
-first observation of the Quantum Hall effect at the GaInAsP/InP heterojunction
-observation of extremely low dark currents in graded parameter superlattices
-lasing in the GaInAs/InP system.
The theoretical work achieved the following:
-theory of high field transport in superlattices for the design of novel structures
-theory of graded parameter superlattice structures giving rise to new design rules for photodiodes
-detailed bandstructure calculations, giving new insights with device implications
-simulation of delta doped GaAs structures allowing both electron states and transport.
The project has generated 85scientific papers and some of the results listed have been fed into other ESPRIT projects(522, 843, 971) on IIIVdevices.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
- ingénierie et technologie ingénierie des materiaux cristaux
- sciences naturelles sciences physiques physique quantique
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal pauvre
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
Vous devez vous identifier ou vous inscrire pour utiliser cette fonction
Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Données non disponibles
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Données non disponibles
Coordinateur
WD6 1RX Borehamwood
Royaume-Uni
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.