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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
CORDIS
Contenido archivado el 2024-04-15

Substrates for CMOS VLSI Technology

Objetivo

The objectives of this project were to:
1.Set up an intrinsic gettering (IG) process for wafers with medium to high oxygen concentration. The process was to have been independent of the type (porn) of the substrate and able to produce a highly defective bulk region and a defectfree denudedzone. A zone thickness of around 110micron was identified as the best compromise for several factors (such as leakage current and insensitivity to latch up a soft error).
2.Characterise EPI wafer diameters of 4 and 6inches. The thickness of the epilayer was to have been in the range 510micron, for both p+ and n+substrates. This thickness range is suitable for submicron CMOS. Finally, IG and EPI processes were eventually to match in order to have intrinsically gettered, low-leakage EPI wafers for submicron CMOS devices insensitive to soft errors.
The objectives of this project were to:
set up an intrinsic gettering (IG) process for wafers with medium to high oxygen concentration;
characterise energy and process integration (EPI) wafer diameters of 4 and 6 inches;
Initial work was carried out on both the correlation between intrinsic defects, processes and device electrical performance, and also in the area of self interstitials (injected by oxygen precipitation and by source to drain ion implantation) as a cause of leakage and lifetime degradation. The final area of work addressed by the project was the design of the preaneal process to match the desired defectiveness and lifetime characteristics.
Problems in the supply of EPIwafers caused delays the first year. This situation improved in the second year, and some of the main targets were achieved at the end of the two-year contract. Initial work was carried out on both the correlation between int rinsic defects, processes and device electrical performance, and also in the area of self-interstitials (injected by oxygen precipitation and by sourcetodrain ion implantation) as a cause of leakage and lifetime degradation.
The final area of work addressed by the project was the design of the pre-anneal process to match the desired defectiveness and lifetime characteristics.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

Este proyecto aún no se ha clasificado con EuroSciVoc.
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Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Datos no disponibles

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

Datos no disponibles

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

Datos no disponibles

Coordinador

Thomson Microelectronics Srl (SGS)
Aportación de la UE
Sin datos
Dirección
Via Carlo Olivetti
20041 Agrate Brianza Milano
Italia

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Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

Sin datos

Participantes (2)

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