Objetivo
The objective of this project was to improve the characteristics of silicon epitaxial layers grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). Capability of growing structures for microelectronic devices, application of appropriate methods to assess the epitaxial material and aspects of improved Si MBE process control were also addressed.
The project aimed to:
a)grow silicon layers by MBE
b)measure deposition conditions in situ
c)implementation and development of techniques for the characterisation of MBE layers.
This information was used to optimise growth conditions.
The objective of this project was to improve the characteristics of silicon epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy (MBE). Capability of growing structures for microelectronic devices, application of appropriate methods to assess the epitaxial material and aspects of improved silicon MBE process control were also addressed. The project aimed to:
grow silicon layers by MBE;
measure deposition conditions in situ;
implement and develop techniques for the characterisation of MBE layers.
Submicron n (antimony) and p (gallium arsenide) doped MBE layers were grown and analysed in detail and the results used for in situ doping control. Multilayer structures for high frequency device applications were made and assessed showing flat doping profiles and sharp transitions. Spreading resistance profiling, secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and preferential etching proved to be the most useful set of assessment techniques. The development of an improved process control instrumentation, based on the use of a spectroscopic ellipsometer, was worked on.
For objectives a) and b),submicron n(Sb) and p(GaAs) doped MBE layers were grown and analysed in detail and the results used for in situ doping control. Multilayer structures for high-frequency device applications were made and assessed showing flat doping profiles and sharp transitions. Spreading Resistance profiling, SIMS and preferential etching proved to be the most useful set of assessment techniques. For objective c), ISARIBER, who joined the project in June1987, worked on the development of an improved process control instrumentation, based on the use of a spectroscopic ellipsometer.
Silicon MBE is potentially a key process in the production of future generations of Si and Si-related devices. As a first approach, using the benefits of low growth temperature and precise control of layer thickness and doping profiles in any sequence, it is well suited for high-speed devices and other integrated circuit applications. Furthermore, Si MBE also offers advantages for three-dimensional integration, because local epitaxial structures can be realised if a prepatterned substrate is used. Finally , using the wide choice of material combinations and layer numbers made available, SiMBE can open up a broader field of application for novel devices, eg SiGe heterostructures and superlattices, and heterojunctions with IIIV alloys. This project has been contributing to these objectives by further improving the quality of the layers achievable by MBE. Additionally, a range of characterisation techniques for the assessment of the MBE material have been produced which may find broad application in the charac erisation of Si films.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de postransición
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metaloides
- ciencias naturales ciencias físicas óptica espectroscopia
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Datos no disponibles
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Datos no disponibles
Coordinador
89013 Ulm
Alemania
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.