Objectif
The objective of this project was to improve the characteristics of silicon epitaxial layers grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). Capability of growing structures for microelectronic devices, application of appropriate methods to assess the epitaxial material and aspects of improved Si MBE process control were also addressed.
The project aimed to:
a)grow silicon layers by MBE
b)measure deposition conditions in situ
c)implementation and development of techniques for the characterisation of MBE layers.
This information was used to optimise growth conditions.
The objective of this project was to improve the characteristics of silicon epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy (MBE). Capability of growing structures for microelectronic devices, application of appropriate methods to assess the epitaxial material and aspects of improved silicon MBE process control were also addressed. The project aimed to:
grow silicon layers by MBE;
measure deposition conditions in situ;
implement and develop techniques for the characterisation of MBE layers.
Submicron n (antimony) and p (gallium arsenide) doped MBE layers were grown and analysed in detail and the results used for in situ doping control. Multilayer structures for high frequency device applications were made and assessed showing flat doping profiles and sharp transitions. Spreading resistance profiling, secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and preferential etching proved to be the most useful set of assessment techniques. The development of an improved process control instrumentation, based on the use of a spectroscopic ellipsometer, was worked on.
For objectives a) and b),submicron n(Sb) and p(GaAs) doped MBE layers were grown and analysed in detail and the results used for in situ doping control. Multilayer structures for high-frequency device applications were made and assessed showing flat doping profiles and sharp transitions. Spreading Resistance profiling, SIMS and preferential etching proved to be the most useful set of assessment techniques. For objective c), ISARIBER, who joined the project in June1987, worked on the development of an improved process control instrumentation, based on the use of a spectroscopic ellipsometer.
Silicon MBE is potentially a key process in the production of future generations of Si and Si-related devices. As a first approach, using the benefits of low growth temperature and precise control of layer thickness and doping profiles in any sequence, it is well suited for high-speed devices and other integrated circuit applications. Furthermore, Si MBE also offers advantages for three-dimensional integration, because local epitaxial structures can be realised if a prepatterned substrate is used. Finally , using the wide choice of material combinations and layer numbers made available, SiMBE can open up a broader field of application for novel devices, eg SiGe heterostructures and superlattices, and heterojunctions with IIIV alloys. This project has been contributing to these objectives by further improving the quality of the layers achievable by MBE. Additionally, a range of characterisation techniques for the assessment of the MBE material have been produced which may find broad application in the charac erisation of Si films.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal pauvre
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
- sciences naturelles sciences physiques optique spectroscopie
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Données non disponibles
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Données non disponibles
Coordinateur
89013 Ulm
Allemagne
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.