Ziel
The objective of this project was to improve the characteristics of silicon epitaxial layers grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). Capability of growing structures for microelectronic devices, application of appropriate methods to assess the epitaxial material and aspects of improved Si MBE process control were also addressed.
The project aimed to:
a)grow silicon layers by MBE
b)measure deposition conditions in situ
c)implementation and development of techniques for the characterisation of MBE layers.
This information was used to optimise growth conditions.
The objective of this project was to improve the characteristics of silicon epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy (MBE). Capability of growing structures for microelectronic devices, application of appropriate methods to assess the epitaxial material and aspects of improved silicon MBE process control were also addressed. The project aimed to:
grow silicon layers by MBE;
measure deposition conditions in situ;
implement and develop techniques for the characterisation of MBE layers.
Submicron n (antimony) and p (gallium arsenide) doped MBE layers were grown and analysed in detail and the results used for in situ doping control. Multilayer structures for high frequency device applications were made and assessed showing flat doping profiles and sharp transitions. Spreading resistance profiling, secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and preferential etching proved to be the most useful set of assessment techniques. The development of an improved process control instrumentation, based on the use of a spectroscopic ellipsometer, was worked on.
For objectives a) and b),submicron n(Sb) and p(GaAs) doped MBE layers were grown and analysed in detail and the results used for in situ doping control. Multilayer structures for high-frequency device applications were made and assessed showing flat doping profiles and sharp transitions. Spreading Resistance profiling, SIMS and preferential etching proved to be the most useful set of assessment techniques. For objective c), ISARIBER, who joined the project in June1987, worked on the development of an improved process control instrumentation, based on the use of a spectroscopic ellipsometer.
Silicon MBE is potentially a key process in the production of future generations of Si and Si-related devices. As a first approach, using the benefits of low growth temperature and precise control of layer thickness and doping profiles in any sequence, it is well suited for high-speed devices and other integrated circuit applications. Furthermore, Si MBE also offers advantages for three-dimensional integration, because local epitaxial structures can be realised if a prepatterned substrate is used. Finally , using the wide choice of material combinations and layer numbers made available, SiMBE can open up a broader field of application for novel devices, eg SiGe heterostructures and superlattices, and heterojunctions with IIIV alloys. This project has been contributing to these objectives by further improving the quality of the layers achievable by MBE. Additionally, a range of characterisation techniques for the assessment of the MBE material have been produced which may find broad application in the charac erisation of Si films.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Nachübergangsmetalle
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Metalloide
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Optik Spektroskopie
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
89013 Ulm
Deutschland
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.