Obiettivo
The three main objectives for the project, containing both short and medium-term goals, were to:
-prototype a very compact contact imager with amorphous silicon sensor elements, creating a linear scanning array with better opto-electronic properties than those currently available
-investigate alternative deposition techniques for amorphous silicon (homo-cvd, photo-cvd), aiming at an increase in the stability of the deposited films
-study the integration of thin-film switches and shift registers on the same substrate, in order to avoid cumbersome and expensive hybrid interconnections.
2 scanners (10 cm long, 4 pixels per mm and 21 to 25 cm long, 8 pixels per mm) were developed, using glow discharge deposition for the amorphous silicon sensor elements. Electrical measurements on single sensor elements proved the concept. According to the readout results 2 different phenomena were apparent, each addressing different application fields: a fast (2 milliseconds per line) linear readout, and a slow but cheap matrix readout without crossovers. The sensor arrays were assembled in an A4 package, and a readout technique based on crystalline driver chips in a linear integrated mode was proposed and developed. A microfilm scanner was set up as an in systemevaluation tool. The measurements on single photosensors were compared with measurements on commercially available contact imagers. The alternative deposition techniques (homo-chemical vapour deposition (CVD) and photodissociation with ultraviolet light and argon flouride laser) were thoroughly investigated and optimized. For homo-CVD it was found that very good boron doped window layers could be produced for the sensor elements, and that the Staebler-Wronski effect played a much less severe role than on glow discharge deposited films. The most cost effective way of fabricating the complete contact imager appeared to be to integrate everything, including switches and shift registers, on the same substrate. A theoretical study proved that in this case polysilicon thin film transistors (TFT) were necessary because of speed (carrier mobility) considerations. Discrete polysilicon TFTs were fabricated using a technological process never exceeding 630 C and not using ion implantation. This resulted in a channel mobility of 16.5 square centimetres per volt second and a current on/off ratio of more than 105. Finally, the possibilities of continuous wave and pulsed laser recrystallization of amorphous silicon to produce large grain, high quality polysilicon at low temperatures were investigated.
Two scanners (10 cm long, 4 pixels per mm and 21-25 cm long, 8 pixels per mm) were developed, using glow-discharge deposition for the amorphous silicon sensor elements. Electrical measurements on single sensor elements proved the concept. According to the read-out results two different phenomena were apparent, each addressing different application fields: a fast (2 ms/line) linear read-out, and a slow but cheap matrix read-out without crossovers. The sensor arrays were assembled in an A4 package, and a re ad-out technique based on crystalline driver chips in a linear integrated mode was proposed and developed. A microfilm scanner was set up as an in-system evaluation tool. The measurements on single photosensors were compared with measurements on commercially available contact imagers.
The alternative deposition techniques (homo-cvd and photodissociation with UV light and ArF laser) were thoroughly investigated and optimised. For homo-cvd it was found that very good boron-doped window layers could be produced for the sensor elements, and that the Staebler-Wronski effect played a much less severe role than on glow discharge deposited films.
The most cost-effective way of fabricating the complete contact imager appeared to be to integrate everything, including switches and shift registers, on the same substrate. A theoretical study proved that in this case polysilicon thin-film transistors were necessary because of speed (carrier mobility) considerations. Discrete polysilicon TFTs were fabricated using a technological process never exceeding 630C and not using ion implantation. This resulted in a channel mobility of 16.5 cm2/Vs and a current on/off ratio of more than 105. Finally, the possibilities of CW and pulsed laser recrystallisation of amorphous silicon to produce large-grain, high quality polysilicon at low temperatures were investigated.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica gas nobili
- ingegneria e tecnologia ingegneria dei materiali rivestimenti e pellicole
- ingegneria e tecnologia ingegneria elettrica, ingegneria elettronica, ingegneria informatica ingegneria elettronica sensori
- scienze naturali scienze fisiche ottica fisica dei laser laser a impulsi
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
3030 HEVERLEE
Belgio
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.