Skip to main content
Weiter zur Homepage der Europäischen Kommission (öffnet in neuem Fenster)
Deutsch de
CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
CORDIS
Inhalt archiviert am 2024-06-16

FINfet structures for FLASH devices

Ziel

The FinFLASH project aims to study a new cell architecture to overcome the scaling limits of FLASH memories beyond the 28nm technology node (year 2015 and after). The new idea is to evaluate the potentialities of the FinFET, one of the non-classical advanced MOSFETs that provides a path to CMOS scaling to the end of the RoadMap, for FLASH memory application. Main challenge will be the optimisation of the device structural design to achieve NVM functionalities. Additionally, the introduction of new materials will enable new operating principles that may provide new behaviour and functionality beyond the constraints of classical FLASH memories.

The FinFLASH approach is promising both for stand-alone NVMs, due to the extremely compact memory cell size, and for the embedded ones, due to the intrinsic compatibility of the FinFLASH process with the one of FinFET logic devices.

The main objectives will be:
1) Study on the most promising charge storage media and device designs;
2) Evaluation based on single cells and arrays of FinFLASH devices;
3) Definition of program/erase schemes at ultra-short channel lengths;
4) Development of comprehensive and predictive models both at the device and circuit level;
5) Simulation and optimisation of FinFLASH devices using TCAD tools.

During the first year preliminary evaluations of multi-gate device structural design will be made by advanced 2D/3D TCAD simulations. At the same time, the development of the critical technological modules will be treated. Both deep UV and e-beam lithography will be adopted to realize devices, on Si-bulk and SOI, with minimum size of 25nm x 25nm.

A detailed electrical and microstructural evaluation of the devices will be performed. During the second year of the project, a second run of devices will be done, allowing for the evaluation of optimised FinFLASH cells and small arrays. The optimised structures will also include new materials for the gate stack like high-k dielectrics and metal gates.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

Dieses Projekt wurde noch nicht bei EuroSciVoc klassifiziert.
Schlagen Sie die Wissenschaftsbereiche vor, die Ihrer Einschätzung nach besonders relevant sind, und helfen Sie uns, unseren Klassifizierungsdienst zu verbessern.

Sie müssen sich anmelden oder registrieren, um diese Funktion zu nutzen

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Daten nicht verfügbar

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

Daten nicht verfügbar

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

STREP - Specific Targeted Research Project

Koordinator

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
EU-Beitrag
Keine Daten
Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (6)

Mein Booklet 0 0