Obiettivo
This project intends to provide an essential contribution with exploratory research on multi-level storage for NV memory applications. It consists of two phases:
- The first (12 months) is carried out by three Research Institutes (Universities of Bologna and Pavia in Italy and IMEC in Belgium). Industry, however, will contribute by:
-defining essential specifications;
-closely following the work;
-providing support for test chip realisation.
If the first Phase reaches satisfactory results, industry would participate directly in the second Phase Project with a leading role.
The first Phase consists essentially of a feasibility study, focused on the most critical issues for the realisation of multi-level NV products and will be split in two parts (6 months each):
- study and development of suitable programming and sensing schemes to be implemented on test chips; - experimental characterisation of such test chips.
- The second Phase, carried out by a larger consortium that would include a leading company in the field of NV memories, would last 3 years and be explicitly dedicated to the realisation of competitive NV memories based on the results of the first Phase.
The most important type of NV components are FLASH memories. From the point of view of multi-level storage, a major problem is that of correctly sensing closely spaced stored charge levels (also affected by imperfect charge retention). This problem is common to all types of NV memories, hence can be studied by means of EPROM cells, simpler to fabricate and providing worst-case conditions for cell sensing because of their limited threshold window.
The other major problem concerns cell programming (or writing), required to achieve tight distributions of multiple transistor thresholds. FLASH cell programming can exploit either hot electrons or Fowler-Nordheim tunnelling, and both these possibilities must be carefully investigated. In these cases too, it is convenient to use simpler test vehicles, such as HIMOS and EEPROM cells for hot-electron and tunnelling programming. The use of simpler devices to study the problems of FLASH memories will also allow to study directly the multi-level operation of other NV devices (EPROM, EEPROM and HIMOS) of significant market potential.
This project investigates the main problems associated with multi-level charge storage on floating-gate MOS transistors used to realise non-volatile (NV) memory cells capable to memorise more than one bit. Multi-level storage is of crucial importance for NV memories because it can multiply their capacity for a given technology, thus significantly reducing the "cost per stored bit".
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
È necessario effettuare l’accesso o registrarsi per utilizzare questa funzione
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
40136 Bologna
Italia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.