Obiettivo
The prime objective of the project is to use a present silicon CMOS production facility to fabricate quantum devices which have the potential for ultra-high speed and functional operation. The devices are resonant tunnelling diodes (RTDs) and velocity modulation transistors (VMTs).
The results from the manufactured devices combined with theoretical modelling of such structures will demonstrate the potential for implementation of each device on present silicon production lines. A four pronged collaborative approach is proposed with work on
- growth of material
- fabrication of devices
- characterisation
- modelling.
If successful, it would allow industry to increase performance by changing the architectures of the chips in the present silicon fabrication plants rather than scaling the present architectures.
The diminutive sizes in the direction of carrier transport of RTDs allows ultra-high speed operation. RTDs in the III-V systems have already shown oscillations in sub-millimetre wave frequencies (710GHz). Negative differential conductivity allows a large number of high speed functional devices to be designed. For example, signal processing circuits with significantly reduced number of devices (and hence smaller real-estate on chips) and multiple valued memory cells using RTDs have been proposed and demonstrated in III-V systems. These functional applications are highly promising since RTDs with their simple structure and small size may easily be integrated with conventional devices such as field effect transistors and bipolar devices. We propose to demonstrate RTDs in Si/SiGe and also one of the simplest functional uses, a cascade RTD memory. A novel gating technique will be investigated to electrostatically squeeze RTDs, creating single electron transistors.
Velocity modulation transistors (VMTs) are novel, double-layer systems where manipulation of the wave function allows electrons to be switched between spatially separated channels of different mobilities, potentially offering ultra high speed operation as the switching speed is not limited by the gate source capacitance. This is a device which offers one possible method of surmounting the ultimate capacitive speed limitation imposed on all field effect transistors. Front- and back-gates are used to move the electrons from one channel to the other without charging. The electrons have either high or low velocity depending on the mobility of the quantum well they are in and this provides the two distinct states for transistor action. The VMT is essentially a normal MODFET on top of an inverted MODFET with a difference in mobility between the two structures and a small energy barrier between the two quantum wells.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- ingegneria e tecnologia ingegneria elettrica, ingegneria elettronica, ingegneria informatica ingegneria elettronica elaborazione del segnale
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
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Parole chiave
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
CB2 1TN CAMBRIDGE
Regno Unito
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.