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Contenuto archiviato il 2024-06-18

High Quality European GaN-Wafer on SiC Substrates for Space Applications

Obiettivo

The project „ High Quality European GaN-Wafer on SiC Substrates for Space Applications” (EuSiC) is aiming at establishing an independent, purely European sustainable supply chain for Gallium Nitride (GaN) based space technologies. The project will significantly reduce the dependence on critical technologies and capabilities from outside Europe for future space applications. An independent supply chain has to include countries of the European Community (EC): a supplier of high-quality semi-insulating Silicon Carbide (SiC) substrates, qualified sources to perform GaN epitaxial layers and as well manufacturers with leading knowledge in GaN device technology required e.g. for Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC’s). At present, the missing link in this chain is a reliable source for high-quality 3 inch semi-insulating SiC substrates in Europe. The intention of this project is to improve the quality of semi-insulating SiC-substrates at SiCrystal AG, the leading manufacturer of SiC substrates in Europe. The provided substrates shall be analyzed and evaluated by epi-growth specialists IAF, III-V-Lab, and QinetiQ. Finally devices shall be built and verified on the created GaN epi-wafers by UMS. Continuous monitoring and several feedback loops to the quality of the substrates will enable an accelerated development at SiCrystal AG. Also impacts to improvement of the performance of GaN devices are expected. The project will complement activities already undertaken by European Space Agency ESA, who has assembled a consortium of competent partners under the: GaN Reliability Enhancement and Technology Transfer Initiative (GREAT2).

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP7-SPACE-2009-1
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

CP - Collaborative project (generic)

Coordinatore

SiCrystal AG
Contributo UE
€ 852 781,80
Indirizzo
THURN UND TAXIS STRASSE 20
90411 NURNBERG
Germania

Mostra sulla mappa

Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (4)

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