Objectif
The breath taking increase in performance of integrated circuits became possible by continuous miniaturization of CMOS devices. On this exciting path many tough problems were resolved; however, growing technological challenges and soaring costs will gradually bring scaling to an end. This puts foreseeable limitations to the future performance increase, and research on alternative technologies and computational principles becomes important. Spin attracts attention as alternative to the charge degree of freedom for computations and non-volatile memory applications. Silicon as main material of microelectronics is characterized by negligible spin-orbit interaction and zero-spin nuclei and should display long spin coherence times. Combined with the potentially easy integration with CMOS, long spin coherence makes silicon perfectly suited for spin-driven applications, as confirmed by recent impressive demonstrations of spin injection, coherent propagation, and detection. The success of microelectronics technology has been well assisted by smart Technology Computer-Aided Design tools; however, support for spin applications is entirely absent. The objective here is to create, test, and apply a simulation environment for spin-based devices in silicon. Microscopic models describing the physical properties relevant to the spin degree of freedom are developed. Special attention will be paid to investigate, how to increase the spin coherence time. One option is based on completely removing the valley degeneracy in the conduction band by [110] uniaxial stress. Understanding spin-polarized transport in silicon and in compatible hysteretic materials allows using the spin-torque effect to invent, model, and optimize prototypes of switches and memory cells for the 21st century.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique spintronique
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique microélectronique
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
ERC-2009-AdG
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Institution d’accueil
1040 Wien
Autriche
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.