Objetivo
The problem of the uniformity and reproducibility of GaInAsP (1.3 micron wavelength) epitaxial layers suitable for optoelectronics devices was addressed using LP-MOCVD growth process on 2" InP substrates.
The problem of the uniformity and reproducibility of gallium indium arsenic phosphide (1.3 micron wavelength) epitaxial layers suitable for optoelectronics devices has been addressed using low pressure metal organic chemical vapour deposition (LP-MOCVD) growth process on inch indium phosphide substrates. The work on materials has been supported by extensive material characterization. In particular, the homogeneity of both substrates and epilayers has been measured nondestructively using spatially resolved photoluminescence. Ultimate validation of the material has been provided by gallium indium arsenic phosphide optical waveguide and gallium indium arsenide metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFET) devices.
A statistical analysis of the losses of waveguides distributed over a whole 2 inch wafer has demonstrated that more than 60% of the waveguides exhibit losses below 0.8 dB Gallium indium arsenide, which was the target in this project. Besides, the distribution of the waveguide losses has been correlated with the bandgap wavelength variation over the 2 inch wafer. The electrical properties of gallium indium arsenide epitaxial layers (ie the sheet resistance, external transconductance and the effective mobility) were found to be quite homogeneous over the 2 inch wafer.
Gallium indium arsenide MISFET with 1.5 micron gate length exhibited a cut off frequency of 16 GHz and a maximum oscillation frequency of 14 GHz. The MISFET showed a response time of 70 ps. However, due to the shift in the transfer characteristic of the inverters, no oscillation of the ring oscillator circuits could be recorded.
The project has demonstrated that high quality (both optical and electrical) uniform gallium indium arsenide phosphide epitaxial layers can be obtained reproducibly on 2 inch indium phosphide substrates using a commercially available LP-MOCVD growth process.
The work on materials has been supported by extensive material characterisation. In particular, the homogeneity of both substrates and epilayers has been measured non-destructively using spatially resolved photoluminescence. Ultimate validation of the material has been provided by GaInAsP optical waveguide and GaInAs MISFET devices.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica optoelectrónica
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de postransición
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica dispositivo semiconductor
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Datos no disponibles
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Datos no disponibles
Coordinador
94453 Limeil-Brevannes
Francia
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.